發(fā)布時間：2017-11-05 05:06

  本文關鍵詞：碳納米管場發(fā)射燒毀機理研究

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【摘要】：在碳納米管場發(fā)射過程中,碳納米管燒毀現象一直是影響碳納米管場發(fā)射能力及穩(wěn)定性的重要因素。目前,對碳納米管燒毀機理研究較少。本文采用化學氣相沉積原位生長技術制備了不同形貌的碳納米管陣列。通過對不同形貌的碳納米管場發(fā)射測試過程及碳納米管燒毀前后形貌的研究,得出碳納米管燒毀機理主要有三種。一是碳納米管高度不均勻和碳納米管本身的缺陷等原因引起了電場局域現象,這種局域場強使得碳納米管局域溫度過高而引起碳納米管燒毀;二是碳納米管吸附和脫附造成碳納米管燒毀;三是碳納米管與基片間存在較高的接觸電阻而產生較高的焦耳熱,使得碳納米管燒毀。本文不僅給出了碳納米管燒毀機理,還給出了相應的解決方案。這對碳納米管場發(fā)射陰極的研究具有一定的意義。
【作者單位】： 電磁防護技術山西省重點實驗室;太原科技大學應用科學學院;山西大學化學與化工學院;
【基金】：山西省青年創(chuàng)新基金項目(No.2013021004-3,No.2014021020-1) 山西省自然科學基金項目(批準號:2014011049-26)資助項目
【分類號】：TB383.1
【正文快照】： 碳納米管基于其較好的化學穩(wěn)定性、力學性能、電學性能和機械性能,不僅在電子器件和電路等方面具有較大的應用潛力,而且在場發(fā)射方面也具有較好的應用前景[1_2]。與傳統(tǒng)的場發(fā)射源相比,碳納米管場發(fā)射具有較大的電流密度、低閾值場強、室溫發(fā)射等優(yōu)越的性能,這使其在器件應用

【參考文獻】

中國期刊全文數據庫 前5條

1 馬富花;許曉麗;李哲;趙亞麗;馬晨;呂德濤;馬通邊;;生長溫度及催化劑結構對碳納米管形貌的影響[J];應用化工;2015年04期

2 呂文輝;張帥;;接觸電阻對碳納米管場發(fā)射的影響[J];物理學報;2012年01期

3 陳偉中;王蜀霞;賀葉露;陳西浩;杜聲玖;;測試環(huán)境對碳納米管場發(fā)射性能的影響[J];功能材料;2010年08期

4 張強;陳澤祥;朱炳金;王小菊;于濤;;碳納米管場致發(fā)射中的空間電荷效應[J];發(fā)光學報;2008年03期

5 張兆祥,張耿民,侯士敏,劉惟敏,趙興鈺,薛增泉;碳納米管的薄膜場發(fā)射[J];真空科學與技術;2003年01期

【共引文獻】

中國期刊全文數據庫 前10條

1 李哲;馬江將;李克訓;李旭峰;魏學紅;鞠軍燕;賈琨;趙亞麗;;碳納米管場發(fā)射燒毀機理研究[J];真空科學與技術學報;2016年06期

2 孫繼偉;賈琨;賈愛珍;呂德濤;許曉麗;郭峰;趙亞麗;;碳納米管場發(fā)射測試方法對其性能的影響[J];應用化工;2016年06期

3 張典;胡海龍;劉玉會;胡利勤;吳薇;郭太良;;納米CuO/CNT復合結構的制備及其場發(fā)射性能研究[J];真空科學與技術學報;2014年12期

4 葉蕓;陳填源;郭太良;蔣亞東;;磁場輔助熱處理金屬化碳納米管場發(fā)射性能[J];物理學報;2014年08期

5 雷達;孟根其其格;張荷亮;智穎飆;;一種平行柵碳納米管陣列陰極的場發(fā)射特性研究[J];物理學報;2013年24期

6 高見;佟鈺;夏楓;劉俊秀;曾尤;;介電體圍繞下繩束狀碳納米管的場發(fā)射特性(英文)[J];發(fā)光學報;2013年07期

7 王超;賀躍輝;彭超群;王世良;劉新利;;一維W納米材料的場發(fā)射性能及其可控制備的研究進展[J];中國有色金屬學報;2012年06期

8 韓建勛;李玉魁;;新型柵極結構的單色三極場發(fā)射器件[J];液晶與顯示;2010年03期

9 王莉莉;陳奕衛(wèi);陳婷;孫卓;馮濤;張燕萍;高陽;闕文修;;電泳法制備場發(fā)射陰極的性能優(yōu)化研究[J];液晶與顯示;2007年06期

10 田時開;江天府;楊興華;曾葆青;;碳納米管薄膜的制備及處理對場發(fā)射特性的影響[J];電子科技大學學報;2006年06期

【二級參考文獻】

中國期刊全文數據庫 前10條

1 朱華;;碳納米管的制備方法研究進展[J];江蘇陶瓷;2008年04期

2 李祈興;蘇水祥;陳冠廷;賴有豪;橫山 明聰;;生長在鎢絲上的碳納米管發(fā)射顯示陰極(英文)[J];電子器件;2008年01期

3 韓道麗;趙元黎;趙海波;宋天福;梁二軍;;化學氣相沉積法制備定向碳納米管陣列[J];物理學報;2007年10期

4 周小康;周明;吳春霞;袁潤;;定向生長碳納米管陣列的制備及其應用研究進展[J];材料導報;2007年S1期

5 鄭瑞廷;程國安;趙勇;劉華平;;碳納米管陣列拉曼光譜的對比研究[J];光譜學與光譜分析;2006年06期

6 劉勇;孫曉剛;朱正吼;羅軍;;化學氣相沉積法制備大面積定向碳納米管[J];材料導報;2006年05期

7 卞保民,賀安之,李振華,楊玲,張平,沈中華,倪曉武;理想氣體一維不定常流自模擬運動的基本微分方程[J];物理學報;2005年12期

8 張兆祥,侯士敏,趙興鈺,張浩,孫建平,劉惟敏,薛增泉,施祖進,顧鎮(zhèn)南;單壁碳納米管的場發(fā)射特性研究[J];物理學報;2002年02期

9 張兆祥,侯士敏,劉惟敏,趙興鈺,薛增泉,施祖進,顧鎮(zhèn)南;利用場發(fā)射顯微鏡研究單壁碳納米管的場發(fā)射特性[J];真空科學與技術;2001年06期

10 孫建平,張兆祥,侯士敏,趙興鈺,施祖進,顧鎮(zhèn)南,劉惟敏,薛增泉;用場發(fā)射顯微鏡研究單壁碳納米管場發(fā)射[J];物理學報;2001年09期

【相似文獻】

中國期刊全文數據庫 前10條

1 王莉莉;陳奕衛(wèi);陳婷;孫卓;馮濤;張燕萍;高陽;闕文修;;電泳法制備場發(fā)射陰極的性能優(yōu)化研究[J];液晶與顯示;2007年06期

2 王隆洋;王小平;王麗軍;段新超;張雷;;摻雜對碳基材料場發(fā)射的影響[J];材料導報;2008年06期

3 錢開友;林仰魁;徐東;蔡炳初;孫卓;;碳基場發(fā)射冷陰極材料的研究[J];材料導報;2004年05期

4 張勇;唐元洪;裴立宅;郭池;;納米碳材料場發(fā)射特性研究進展[J];壓電與聲光;2006年02期

5 邢曉曼;代秋聲;;碳納米管場發(fā)射陰極制備技術的最新進展[J];CT理論與應用研究;2013年01期

6 薛增泉,王晶云,梁學磊,羅驥,張耿民,張兆祥,申自勇,侯士敏,趙興鈺,張琦鋒,高崧,吳錦雷;碳納米管場發(fā)射電子源[J];真空;2005年04期

7 崔雪梅;王艷;鄧敏;丁桂甫;;植布法制備鎳基碳納米管場發(fā)射陰極及其性能研究[J];功能材料;2011年11期

8 陳程程;劉立英;王如志;宋雪梅;王波;嚴輝;;不同基底的GaN納米薄膜制備及其場發(fā)射增強研究[J];物理學報;2013年17期

9 王莉莉;馮濤;林麗鋒;尉帥;陳婷;孫卓;;電泳工藝制備陣列場發(fā)射陰極及其性能的研究[J];液晶與顯示;2008年02期

10 潘金艷;袁占生;衛(wèi)雅芬;劉衛(wèi)華;;Ni基碳納米管場發(fā)射陰極的性能研究[J];材料科學與工藝;2011年04期

中國重要會議論文全文數據庫 前10條

1 丁明清;邵文生;陳長青;李興輝;白國棟;張甫權;李含雁;馮進軍;;單根碳納米管柵控場發(fā)射陣列陰極的研制[A];第九屆真空技術應用學術年會論文集[C];2006年

2 高迎賓;張曉兵;雷威;王保平;;硅錐場發(fā)射陣列中離子轟擊現象的分析[A];第四屆華東真空科技學術交流展示會學術論文集[C];2003年

3 謝信能;李佛俊;李文恩;;低壓掃描電鏡的場發(fā)射陰極組件[A];第三次中國電子顯微學會議論文摘要集（二）[C];1983年

4 姜祥祺;加藤隆男;;氮化鉭場發(fā)射陰極的制作及其特性的研究[A];中國真空學會科技進步獎（1994-2000）得獎人員論文集[C];2000年

5 丁明清;李興輝;白國棟;張甫權;李含雁;馮進軍;;集成柵極控制的碳納米管場發(fā)射陣列陰極的制造技術[A];第八屆真空技術應用學術年會論文集[C];2005年

6 周雪東;張宇寧;孫瑩;雷威;張曉兵;;最佳碳納米管場發(fā)射陰極陣列密度的研究[A];第四屆華東真空科技學術交流展示會學術論文集[C];2003年

7 董長昆;;應用電泳技術制備場發(fā)射陰極等碳納米管器件[A];中國真空學會2012學術年會論文摘要集[C];2012年

8 朱長純;劉衛(wèi)華;;納米場發(fā)射陰極及其在FED中的應用[A];中國真空學會2006年學術會議論文摘要集[C];2006年

9 李春;元光;袁光軍;郭強;陳龍;劉玉芳;;納米錐陣列場發(fā)射陰極模擬研究[A];中國電子學會真空電子學分會第十九屆學術年會論文集（下冊）[C];2013年

10 佘峻聰;黃一峰;王偉良;鄧少芝;許寧生;;硅微尖錐場發(fā)射陰極的微納加工工藝及性能優(yōu)化研究[A];中國電子學會真空電子學分會第十九屆學術年會論文集（下冊）[C];2013年

中國博士學位論文全文數據庫 前6條

1 陳善亮;SiC柔性場發(fā)射陰極材料制備與精細調控及其電子發(fā)射特性[D];中國礦業(yè)大學;2015年

2 王增美;薄膜場發(fā)射陰極[D];清華大學;2007年

3 姜衛(wèi)粉;一種碳納米管/硅巢狀陣列的制備與場發(fā)射、濕敏性能研究[D];鄭州大學;2007年

4 翟春雪;納米金剛石涂層場發(fā)射陰極結構與性能研究[D];西北大學;2008年

5 徐進卓;基于碳納米管及其復合材料的場發(fā)射器件的制備及其性能研究[D];華東師范大學;2015年

6 魯占靈;納米非晶碳膜制備及其場致電子發(fā)射性能研究[D];鄭州大學;2006年

中國碩士學位論文全文數據庫 前10條

1 汪志剛;場發(fā)射陣列薄膜設計及技術研究[D];電子科技大學;2008年

2 李東方;復合型尖錐場發(fā)射陣列制備工藝研究[D];電子科技大學;2009年

3 于海波;場發(fā)射冷陰極尖錐制備及其性能研究[D];電子科技大學;2006年

4 王小菊;場發(fā)射陰極的計算機模擬[D];電子科技大學;2006年

5 段志強;納米體系中場發(fā)射的結構效應[D];北京工業(yè)大學;2007年

6 時晴暄;場發(fā)射陣列薄膜技術研究[D];電子科技大學;2007年

7 袁光軍;表面?zhèn)鲗�場發(fā)射陰極的模擬[D];中國海洋大學;2013年

8 孫亞飛;場發(fā)射掃描電子顯微鏡陰極制備工藝研究[D];上海師范大學;2013年

9 翟春雪;鈦基鈉米金剛石涂層場發(fā)射陰極工藝研究[D];西北大學;2003年

10 李新義;鉬硅化物的場發(fā)射研究[D];電子科技大學;2008年

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本文編號：1142706