發(fā)布時間：2017-11-06 04:20

  本文關(guān)鍵詞：GaN襯底摻雜模式對ZnO納米棒光學性質(zhì)的影響

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【摘要】：本文通過水熱法在u-GaN(undoped GaN)/Al_2O_3和p-GaN/Al_2O_3襯底上制備了ZnO納米棒陣列。利用X射線衍射儀(XRD)、高分辨X射線衍射儀(HRXRD)、場發(fā)射掃描電子顯微鏡(FESEM)、原子力顯微鏡(AFM)和光致發(fā)光譜(PL)對樣品進行表征,研究在無種子層和金屬催化劑情況下u-GaN/Al_2O_3和p-GaN/Al_2O_3襯底對ZnO納米棒生長的影響。結(jié)果表明,在u-GaN和p-GaN上生長的ZnO納米棒均為六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)。在p-GaN上生長的ZnO納米棒直徑較細且密度更大,這可能是由于p-GaN界面比較粗糙,界面能量較大,為ZnO的生長提供了更多的形核區(qū)域;與生長在u-GaN上的ZnO納米棒陣列相比,p-GaN上所沉積的ZnO納米棒在378.3 nm處有一個較強的近帶邊發(fā)射峰,且峰強比較大,說明在p-GaN上所制備的ZnO納米棒的晶體質(zhì)量和光學性能更好。
【作者單位】： 太原理工大學新材料界面科學與工程教育部重點實驗室;太原理工大學新材料工程技術(shù)研究中心;
【基金】：國家自然科學基金(61404089) 山西省自然科學基金(2014011016-6) 山西省基礎(chǔ)研究項目(2015021103) 山西省青年科技研究基金(2014021019-1)
【分類號】：TB383.1
【正文快照】： (Received 21 December 2015,accepted 24 February 2015)1引言一維納米材料,例如納米棒、納米線和納米帶,在電子器件和光電設(shè)備方面具有廣泛的應(yīng)用前景[1,2]。其中,氧化鋅納米棒陣列由于其禁帶寬度(3.37 e V)和激子束縛能(60 me V)較大[3],在光發(fā)射技術(shù)、場發(fā)射技術(shù)、場效應(yīng)

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