發(fā)布時間：2018-06-22 00:03

  本文選題：TC鈦合金 + 中頻磁控反應(yīng)濺射　； 參考：《壓電與聲光》2015年02期

【摘要】：采用中頻磁控反應(yīng)濺射,提出了在TC4鈦合金基片上制備c軸取向AlN薄膜的兩步法工藝。利用掃描電鏡分析(SEM)、X線衍射(XRD)、原子力顯微鏡(AFM)對薄膜的表面及斷面形貌、晶體結(jié)構(gòu)、表面粗糙度進行了表征。研究結(jié)果表明,利用該文提出的兩步法工藝可在TC4鈦合金襯底上制備出表面粗糙度為2.3nm、c軸XRD搖擺曲線半高寬為4.1°的AlN薄膜,滿足制作壓電微機電系統(tǒng)(MEMS)器件或薄膜聲表面波(SAW)和體聲波器件的需求。
[Abstract]:A two-step technique for the preparation of c-axis oriented AlN thin films on TC4 titanium alloy substrates by intermediate frequency magnetron reactive sputtering was proposed. Scanning electron microscopy (SEM) X-ray diffraction (XRD) and atomic force microscopy (AFM) were used to characterize the surface and cross-section morphology, crystal structure and surface roughness of the films. The results show that AlN thin films with a surface roughness of 2.3 nm ~ (m) C ~ (-axis) XRD rocking curve with a half maximum width of 4.1 擄can be prepared on TC4 substrate by using the two-step method proposed in this paper. It can be used to fabricate piezoelectric micro electromechanical system (MEMS) devices, thin film surface acoustic wave (saw) and bulk acoustic wave devices.
【作者單位】： 電子科技大學(xué)電子薄膜與集成器件國家重點實驗室;
【基金】：自然科學(xué)基金資助項目(61223002) 四川省青年科技創(chuàng)新團隊基金資助項目(2011HTD0006)
【分類號】：TG174.4

【參考文獻】

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【共引文獻】

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本文編號：2050627