發(fā)布時(shí)間：2018-06-23 17:50

  本文選題：磁電復(fù)合材料 + 磁電耦合效應(yīng)��； 參考：《南京理工大學(xué)》2015年碩士論文

【摘要】：磁致伸縮材料與壓電材料復(fù)合而成的磁電復(fù)合材料能夠?qū)崿F(xiàn)磁場(chǎng)-電場(chǎng)能量的雙向轉(zhuǎn)換,具有顯著的磁電耦合效應(yīng),在微波領(lǐng)域、高壓輸電線路的電流測(cè)量、寬波段磁探測(cè)、磁電感應(yīng)器及磁場(chǎng)信號(hào)等領(lǐng)域有著廣泛而重要的應(yīng)用前景。為了有效的利用這種磁電效應(yīng)制備出具有優(yōu)良性能的磁電傳感器,需要研究影響磁電耦合效應(yīng)的因素。磁電復(fù)合材料的磁電耦合效應(yīng)大小很大程度上取決于其磁致伸縮材料和壓電材料的性能。本文選用A1N作為壓電材料,FeGaB作為磁致伸縮材料,分別研究了實(shí)驗(yàn)工藝條件對(duì)壓電相和磁致伸縮相性能的影響。主要研究工作如下：采用磁控濺射的方法制備了壓電材料A1N薄膜,研究了濺射功率、氣氛壓強(qiáng)、氮?dú)夂蜌鍤獾捏w積比、襯底溫度和退火處理這五個(gè)工藝參數(shù)對(duì)薄膜性能的影響。經(jīng)實(shí)驗(yàn)研究發(fā)現(xiàn)當(dāng)濺射功率為200 W、濺射氣壓為3.75mT、氮?dú)夂蜌鍤怏w積比為3：7、襯底溫度為300℃和在氮?dú)夥諊鷹l件下進(jìn)行500。C退火處理的時(shí)候,A1N薄膜沿c軸擇優(yōu)生長(zhǎng),此時(shí)薄膜具有優(yōu)良的壓電性能。采用磁控共濺射的方法制備了磁致伸縮材料FeGaB薄膜,通過(guò)控制B靶材的濺射功率來(lái)控制薄膜中B的含量,研究了薄膜中不同的B含量對(duì)薄膜磁性能的影響。經(jīng)實(shí)驗(yàn)研究發(fā)現(xiàn)當(dāng)B靶材的濺射功率為50W的時(shí)候,薄膜的磁性能最佳。對(duì)磁電傳感器進(jìn)行設(shè)計(jì)、討論和理論研究,利用AlN/FeGaB磁電復(fù)合材料制備磁電傳感器,具有高的共振頻率,說(shuō)明其具有非常高的靈敏度,可以用來(lái)探測(cè)非常微弱的磁場(chǎng),有非常廣闊的應(yīng)用前景。
[Abstract]:In this paper , the influence of different B contents on the properties of piezoelectric phase and magnetostrictive phase is studied by magnetron sputtering .
【學(xué)位授予單位】：南京理工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2015
【分類(lèi)號(hào)】：TB33

【參考文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前1條

1 陳穎慧;王旭光;席仕偉;施志貴;姚明秋;;AlN壓電薄膜的制備工藝[J];微納電子技術(shù);2013年08期

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前2條

1 馮麗萍;藍(lán)寶石襯底上SiO_2薄膜的制備工藝與性能研究[D];西北工業(yè)大學(xué);2004年

2 洪賀;FeCo/PZT層狀磁電復(fù)合材料的制備與性能研究[D];南京航空航天大學(xué);2013年

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本文編號(hào)：2057915