發(fā)布時間：2018-06-23 17:50

  本文選題：磁電復合材料 + 磁電耦合效應　； 參考：《南京理工大學》2015年碩士論文

【摘要】：磁致伸縮材料與壓電材料復合而成的磁電復合材料能夠?qū)崿F(xiàn)磁場-電場能量的雙向轉(zhuǎn)換,具有顯著的磁電耦合效應,在微波領(lǐng)域、高壓輸電線路的電流測量、寬波段磁探測、磁電感應器及磁場信號等領(lǐng)域有著廣泛而重要的應用前景。為了有效的利用這種磁電效應制備出具有優(yōu)良性能的磁電傳感器,需要研究影響磁電耦合效應的因素。磁電復合材料的磁電耦合效應大小很大程度上取決于其磁致伸縮材料和壓電材料的性能。本文選用A1N作為壓電材料,FeGaB作為磁致伸縮材料,分別研究了實驗工藝條件對壓電相和磁致伸縮相性能的影響。主要研究工作如下：采用磁控濺射的方法制備了壓電材料A1N薄膜,研究了濺射功率、氣氛壓強、氮氣和氬氣的體積比、襯底溫度和退火處理這五個工藝參數(shù)對薄膜性能的影響。經(jīng)實驗研究發(fā)現(xiàn)當濺射功率為200 W、濺射氣壓為3.75mT、氮氣和氬氣體積比為3：7、襯底溫度為300℃和在氮氣氛圍條件下進行500。C退火處理的時候,A1N薄膜沿c軸擇優(yōu)生長,此時薄膜具有優(yōu)良的壓電性能。采用磁控共濺射的方法制備了磁致伸縮材料FeGaB薄膜,通過控制B靶材的濺射功率來控制薄膜中B的含量,研究了薄膜中不同的B含量對薄膜磁性能的影響。經(jīng)實驗研究發(fā)現(xiàn)當B靶材的濺射功率為50W的時候,薄膜的磁性能最佳。對磁電傳感器進行設(shè)計、討論和理論研究,利用AlN/FeGaB磁電復合材料制備磁電傳感器,具有高的共振頻率,說明其具有非常高的靈敏度,可以用來探測非常微弱的磁場,有非常廣闊的應用前景。
[Abstract]:In this paper , the influence of different B contents on the properties of piezoelectric phase and magnetostrictive phase is studied by magnetron sputtering .
【學位授予單位】：南京理工大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2015
【分類號】：TB33

【參考文獻】

相關(guān)期刊論文 前1條

1 陳穎慧;王旭光;席仕偉;施志貴;姚明秋;;AlN壓電薄膜的制備工藝[J];微納電子技術(shù);2013年08期

相關(guān)碩士學位論文 前2條

1 馮麗萍;藍寶石襯底上SiO_2薄膜的制備工藝與性能研究[D];西北工業(yè)大學;2004年

2 洪賀;FeCo/PZT層狀磁電復合材料的制備與性能研究[D];南京航空航天大學;2013年

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本文編號：2057915