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MOD法制備STO緩沖層及YBCO超導(dǎo)帶材的研究

發(fā)布時間:2016-09-09 09:17

  本文關(guān)鍵詞:高電壓冷絕緣高溫超導(dǎo)電纜的主絕緣設(shè)計,,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。


《電子科技大學(xué)》 2009年

MOD法制備STO緩沖層及YBCO超導(dǎo)帶材的研究

陳文祥  

【摘要】: 第二代Y系高溫超導(dǎo)材料具有交流損耗低、磁場下載流能力強、較高的不可逆場等優(yōu)點。然而直接在柔性金屬基帶上沉積超導(dǎo)薄膜存在晶格失配度高和金屬離子和氧離子擴散的問題,因此需要在基帶和超導(dǎo)薄膜之間制備緩沖層。MOD方法具有組分容易控制、成本低、易規(guī);a(chǎn)等優(yōu)點,因此本論文采用MOD法在Ni-5%W合金基帶上制備SrTiO3(STO)緩沖層及YBCO超導(dǎo)薄膜,并對過渡層薄膜的結(jié)構(gòu)和表面形貌進行了系統(tǒng)的研究。 首先本文對MOD方法制備STO薄膜的工藝參數(shù)做了系統(tǒng)的分析,研究了退火溫度、升溫速率、甩膠速率等工藝參數(shù)對薄膜結(jié)構(gòu)及表面形貌的影響。并優(yōu)化了工藝參數(shù),在甩膠速率為2000-3000r/min時,采用快速退火的方式在975℃下制備出了具有(200)單一取向、表面平整(RMS=3.6nm)、且具有較好重復(fù)性的STO緩沖層。 另外,為了研究全MOD法制備第二代高溫超導(dǎo)帶材的可行性,我們還進行了TFA-MOD法在STO緩沖層上制備YBCO超導(dǎo)薄膜的研究。在800℃和低氧氣氛下制備出具有較好c軸生長取向的YBCO薄膜。實驗證明單一的STO緩沖層能夠有效地阻擋YBCO超導(dǎo)層與金屬基帶間的互擴散,并且能夠傳遞金屬基帶的織構(gòu)。 最后,還對STO薄膜進行了Nb元素摻雜,使其半導(dǎo)化的工作,討論了不同的摻雜濃度對薄膜的織構(gòu)、表面形貌以及導(dǎo)電性能的影響。在對薄膜織構(gòu)以及表面形貌影響不大的情況先制備出了具有一定導(dǎo)電性能的STO薄膜。

【關(guān)鍵詞】:
【學(xué)位授予單位】:電子科技大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2009
【分類號】:TM26
【目錄】:

  • 摘要4-5
  • ABSTRACT5-8
  • 第一章 概述8-23
  • 1.1 引言8-10
  • 1.2 高溫超導(dǎo)帶材的簡介10-14
  • 1.2.1 Bi 系高溫超導(dǎo)帶材10-11
  • 1.2.2 Y 系高溫超導(dǎo)帶材11-13
  • 1.2.3 MgB_2 新型超導(dǎo)帶材13-14
  • 1.3 Y 系高溫超導(dǎo)帶材的制備14-20
  • 1.3.1 YBCO 超導(dǎo)層的制備方法14-15
  • 1.3.2 金屬基帶的選擇與制備15-17
  • 1.3.3 過渡層的選擇與制備17-20
  • 1.4 過渡層研究現(xiàn)狀20-21
  • 1.5 論文的選題依據(jù)和研究方案21-23
  • 第二章 實驗方法與原理23-32
  • 2.1 MOD 法的基本原理23
  • 2.2 實驗設(shè)備與原材料23-24
  • 2.2.1 實驗儀器23-24
  • 2.2.2 實驗使用的原材料24
  • 2.3 MOD 法制備STO 薄膜24-29
  • 2.3.1 前驅(qū)液的配制25-26
  • 2.3.2 前驅(qū)膜的涂敷26-28
  • 2.3.3 高溫?zé)崽幚磉^程28-29
  • 2.4 薄膜的分析測試方法及原理29-32
  • 2.4.1 薄膜的結(jié)構(gòu)分析29-30
  • 2.4.2 表面形貌分析30-32
  • 第三章 MOD 法制備SRTIO_3緩沖層薄膜的工藝研究32-45
  • 3.1 引言32
  • 3.2 STO 種子層32-33
  • 3.3 退火溫度33-38
  • 3.4 升溫速率38-39
  • 3.5 勻膠機旋轉(zhuǎn)速度39-42
  • 3.6 工藝的可重復(fù)性42-44
  • 3.7 小結(jié)44-45
  • 第四章 TFA-MOD 法在STO 緩沖層上制備YBCO 薄膜45-51
  • 4.1 引言45
  • 4.2 YBCO 前驅(qū)體溶液的制備45-46
  • 4.3 退火溫度對YBCO 薄膜結(jié)構(gòu)的影響46-48
  • 4.4 緩沖層薄膜結(jié)構(gòu)對YBCO 薄膜結(jié)構(gòu)的影響48-50
  • 4.5 小結(jié)50-51
  • 第五章 STO 薄膜半導(dǎo)化及模板層應(yīng)用51-58
  • 5.1 引言51
  • 5.2 NB 摻雜的STO 薄膜制備YBCO 的影響51-55
  • 5.3 CEO_2 緩沖層上生長STO 薄膜55-57
  • 5.4 小結(jié)57-58
  • 第六章 結(jié)論58-59
  • 參考文獻59-63
  • 致謝63-64
  • 在讀期間發(fā)表的論文64-65
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    10 義川;[N];網(wǎng)絡(luò)世界;2002年

    中國博士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

    1 李英楠;YBaCuO膜及其金屬基帶和緩沖層的制備與研究[D];東北大學(xué);2010年

    2 熊杰;YBCO高溫超導(dǎo)帶材的制備和實用化研究[D];電子科技大學(xué);2007年

    3 于澤銘;新型Cu-Ni雙金屬層基帶制備及CSD技術(shù)制備LZO緩沖層[D];東北大學(xué);2008年

    4 趙智彪;GaN和AIGaN/GaN的RFP-MBE生長及其特性研究[D];中國科學(xué)院研究生院(上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所);2002年

    5 張松濤;有機發(fā)光二極管中載流子注入和傳輸機制的研究[D];復(fù)旦大學(xué);2004年

    6 歐谷平;有機電致發(fā)光材料及器件的研究[D];蘭州大學(xué);2006年

    7 范艷華;鈦酸鍶鋇薄膜在金屬銅箔上的制備及其性能研究[D];中國海洋大學(xué);2009年

    8 王福芝;有機電致發(fā)光器件中的能量與載流子調(diào)控問題研究[D];北京大學(xué);2008年

    9 王莉莉;基于碳納米材料的場發(fā)射光源研究[D];華東師范大學(xué);2008年

    10 霍炳至;脈沖激光沉積氧化鋅及其相關(guān)多層膜的研究[D];大連理工大學(xué);2009年

    中國碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條

    1 陳文祥;MOD法制備STO緩沖層及YBCO超導(dǎo)帶材的研究[D];電子科技大學(xué);2009年

    2 田震;MOD法制備YBCO高溫超導(dǎo)帶材的緩沖層SrTiO_3研究[D];電子科技大學(xué);2007年

    3 孫瑞萍;高分子輔助化學(xué)溶液沉積法制備REBiO_3新型緩沖層[D];西南交通大學(xué);2008年

    4 張貴東;磁控濺射法制備涂層導(dǎo)體緩沖層薄膜[D];西南交通大學(xué);2009年

    5 張小玲;涂層導(dǎo)體中鈣鈦礦型緩沖層研究[D];陜西師范大學(xué);2008年

    6 樊利國;在役棒形懸式瓷絕緣子強度分析及爬波無損評價[D];天津大學(xué);2005年

    7 許鈞;3C-SiC緩沖層對在6H-SiC上生長SiCGe的影響[D];西安理工大學(xué);2006年

    8 梁棟;AlGaN日盲紫外探測器材料生長及表征[D];長春理工大學(xué);2008年

    9 孫萬峰;GaN生長中氮化工藝及GaMnN薄膜生長研究[D];大連理工大學(xué);2006年

    10 劉寶生;采用緩沖層結(jié)構(gòu)的脈沖功率開關(guān)RSD研究[D];華中科技大學(xué);2006年


      本文關(guān)鍵詞:高電壓冷絕緣高溫超導(dǎo)電纜的主絕緣設(shè)計,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。



    本文編號:112130

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