發(fā)布時(shí)間：2018-01-23 11:17

  本文關(guān)鍵詞： 硅 光致衰減 少子壽命 太陽電池　出處：《物理學(xué)報(bào)》2014年02期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：采用氙燈模擬太陽光源,將光強(qiáng)調(diào)至1000 W/m2,研究常規(guī)太陽能級(jí)單晶硅片、多晶硅片和物理提純硅片的原片、去損減薄片、熱氧化鈍化片、雙面鍍氮化硅(SiN x:H)膜鈍化片、碘酒鈍化片以及太陽電池的光衰規(guī)律.利用WT-2000少子壽命測試儀以及太陽電池I-V特性測試儀分別對(duì)硅片的少子壽命和太陽電池的I-V特性參數(shù)隨光照時(shí)間的變化進(jìn)行了測試.結(jié)果表明:所有硅片以及太陽電池在光照的最初60 min內(nèi)衰減很快隨后衰減變慢,180 min之后光衰速率變得很小,幾乎趨于零.
[Abstract]:The xenon lamp was used to simulate the solar light source, and the light was emphasized to 1000W / m2. The conventional solar single crystal silicon wafer, polycrystalline silicon wafer and physical purified silicon wafer were studied. SiN x: h) film passivated with silicon nitride on both sides. The rule of light decay of iodized wine passivated sheet and solar cell. The minority carrier lifetime of silicon wafer and the I-V characteristic parameter of solar cell were measured by WT-2000 minority carrier life tester and solar cell I-V characteristic tester, respectively. The results show that:. The decay of all silicon wafers and solar cells within the first 60 min of light quickly attenuated and then slowed down. After 180 min, the light decay rate becomes very small, almost to zero.
【作者單位】： 中山大學(xué)物理科學(xué)與工程技術(shù)學(xué)院 太陽能系統(tǒng)研究所;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號(hào):50802118) 廣東省戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)核心技術(shù)攻關(guān)項(xiàng)目(批準(zhǔn)號(hào):2011A032304001) 中央高�；�本研究經(jīng)費(fèi)青年教師培育項(xiàng)目(批準(zhǔn)號(hào):11lgpy40)資助的課題~~
【分類號(hào)】：TM914.4
【正文快照】： 1引言自從1973年Fischer和Pschunder[1]第一次發(fā)現(xiàn)硼(B)摻雜硅片的光衰現(xiàn)象以來,晶體硅材料及其太陽電池的光衰問題就一直受到人們的關(guān)注.1989年Kimerling等[2]提出了施主-受主對(duì)(如FeB)分解模型,認(rèn)為FeB對(duì)的光誘導(dǎo)分解使硅太陽電池的性能受到Fe的污染而衰減,但是這一模型不能

【參考文獻(xiàn)】

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1 張祥;劉邦武;夏洋;李超波;劉杰;沈澤南;;A1_2O_3鈍化及其在晶硅太陽電池中的應(yīng)用[J];物理學(xué)報(bào);2012年18期

2 姜麗麗;路忠林;張鳳鳴;魯雄;;低溫退火磷吸雜工藝對(duì)低少子壽命鑄造多晶硅電性能的影響[J];物理學(xué)報(bào);2013年11期

【共引文獻(xiàn)】

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1 仇洪波;劉邦武;夏洋;李惠琪;陳波;李超波;萬軍;李勇;;原子層沉積技術(shù)研究及其應(yīng)用進(jìn)展[J];微納電子技術(shù);2012年11期

2 張陽;張祥;盧維爾;李超波;夏洋;;原子層沉積制備ZnO薄膜研究進(jìn)展[J];半導(dǎo)體技術(shù);2013年05期

3 王佳俊;黃一龍;劉磊;余文君;李鳳;李寒星;;基于少子壽命測量研究晶硅電子態(tài)缺陷[J];東莞理工學(xué)院學(xué)報(bào);2013年05期

4 安家才;廖華;梅鳳嬌;王建秋;李石周;;A1_2O_3薄膜的制備方法及其在太陽電池上的應(yīng)用[J];云南師范大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);2013年02期

5 李小娟;韋尚江;呂文輝;吳丹;李亞軍;周文政;;一種新方法制備硅/聚(3,4-乙撐二氧噻吩)核/殼納米線陣列雜化太陽能電池[J];物理學(xué)報(bào);2013年10期

6 董亞斌;夏洋;李超波;盧維爾;饒志鵬;張陽;張祥;葉甜春;;原子層沉積法生長ZnO的性質(zhì)與前驅(qū)體源量的關(guān)系研究[J];物理學(xué)報(bào);2013年14期

相關(guān)博士學(xué)位論文 前2條

1 陳鵬;晶體硅太陽電池中的光衰減研究[D];浙江大學(xué);2013年

2 石志鋒;人工股骨頭表面硅碳氮薄膜生長特性及其摩擦學(xué)性能研究[D];華南理工大學(xué);2012年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前1條

1 李小娟;基于Si/PEDOT雜化核/殼納米線陣列光化學(xué)制氫電池及太陽能電池的研究[D];廣西大學(xué);2013年

【二級(jí)參考文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前8條

1 沈澤南;劉邦武;夏洋;劉杰;李超波;陳波;;黑硅制備及應(yīng)用進(jìn)展[J];固體電子學(xué)研究與進(jìn)展;2011年04期

2 閔靖，陳一，宗祥福，李積和，姚保綱，，陳青松，周志美;多晶硅吸雜效能的研究[J];固體電子學(xué)研究與進(jìn)展;1995年03期

3 石湘波;許志強(qiáng);施正榮;朱拓;汪義川;;鑄造多晶硅的吸雜[J];江南大學(xué)學(xué)報(bào);2006年06期

4 盧紅亮;徐敏;丁士進(jìn);任杰;張衛(wèi);;原子層淀積Al_2O_3薄膜的熱穩(wěn)定性研究[J];無機(jī)材料學(xué)報(bào);2006年05期

5 劉光友;譚興文;姚金才;王振;熊祖洪;;電化學(xué)制備薄黑硅抗反射膜[J];物理學(xué)報(bào);2008年01期

6 周春蘭;王文靜;趙雷;李海玲;刁宏偉;曹曉寧;;單晶硅表面均勻小尺寸金字塔制備及其特性研究[J];物理學(xué)報(bào);2010年08期

7 吳利華;章曉中;于奕;萬蔡華;譚新玉;;a-C:Fe/AlO_x/Si基異質(zhì)結(jié)的光伏效應(yīng)[J];物理學(xué)報(bào);2011年03期

8 周春蘭;勵(lì)旭東;王文靜;趙雷;李海玲;刁宏偉;曹曉寧;;氧化隨機(jī)織構(gòu)硅表面對(duì)單晶硅太陽電池性能的影響研究[J];物理學(xué)報(bào);2011年03期

【相似文獻(xiàn)】

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1 袁炳輝;付o

本文編號(hào)：1457414