發(fā)布時間：2020-12-11 00:51

　　AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管（AlGaN/GaN HFET）因其優(yōu)異的材料特性、良好的器件性能,被認為是未來替代硅基功率器件的熱門選擇之一。AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)在形成高面密度、高電子遷移率的二維電子氣（2DEG）的同時也使得傳統(tǒng)AlGaN/GaN HFET本質(zhì)上為耗盡型器件,限制了其在功率電子領(lǐng)域的應(yīng)用。其次,柵極電場集中效應(yīng)與緩沖層漏電等問題容易引發(fā)AlGaN/GaN HFET提前擊穿,導(dǎo)致器件的平均擊穿電場遠低于GaN材料的臨界擊穿電場。為解決上述問題,本論文提出了兩種新型AlGaN/GaN HFET功率器件,并對其機理、靜態(tài)特性及關(guān)鍵參數(shù)展開了研究。1.針對傳統(tǒng)AlGaN/GaN HFET擊穿電壓遠低于理論值及閾值電壓與開態(tài)電流之間存在制約關(guān)系的問題,本文提出了一種對稱極化摻雜增強型AlGaN/GaN HFET功率器件。該結(jié)構(gòu)采用Al組分對稱漸變的AlGaN勢壘層,因極化梯度而分別在正向漸變AlGaN層和逆向漸變AlGaN層中誘導(dǎo)產(chǎn)生三維電子氣（3DEG）和三維空穴氣（3DHG）。第一,正向漸變AlGaN層中存在的高濃度3DEG顯著提升器件的輸出電流。第二,新結(jié)構(gòu)利用... 

【文章來源】：電子科技大學(xué)四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：74 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

不同半導(dǎo)體材料比導(dǎo)通電阻與擊穿電壓的理論極限圖

aN 功率器件的比導(dǎo)通電阻與硅基功率器件相比要低三個數(shù)量級以上電阻可以顯著降低器件的導(dǎo)通損耗。AlGaN/GaN 異質(zhì)結(jié)可極化產(chǎn)生電子氣（2DEG），這是同為第三代半導(dǎo)體材料 SiC 所不具有的，因 SiC 相比仍有較大的優(yōu)越性。隨著硅基 GaN 異質(zhì)外延技術(shù)日益成熟以與傳統(tǒng)硅基 CMOS 工藝兼容，使得 GaN 器件的成本遠低于 SiC 器一代移動通信技術(shù)等應(yīng)用對電力電子器件高頻率、寬帶寬、高效率成本的需求。aN 與 SiC 電力電子器件有比較清晰的市場劃分，SiC 器件主要用于高壓工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域，GaN 功率器件則在 900 V 以下有較大優(yōu)勢。根戰(zhàn)略咨詢公司 Yole Développement（簡稱 Yole）2017 年發(fā)布的一份率器件市場規(guī)模將從 2017 年的 2000 萬美元增長至 2022 年的 4.6 億aN 電力電子器件市場升溫的主要因素為收入巨大的汽車電子和消費增長，此外，航空航天、軍事及國防等領(lǐng)域越來越多地應(yīng)用 GaN 射是其主要推動因素。

(a) (b)圖 1-3 GaN 晶格結(jié)構(gòu)示意圖。(a)纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)；(b)閃鋅礦晶體結(jié)構(gòu)作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表之一，GaN 具備高禁帶寬度（3.4eV擊穿電場（3.3MV/cm）、高電子飽和速度（2.5 107cm/s）、耐高溫、化學(xué)以及抗輻射等優(yōu)良特性，非常適合應(yīng)用于高頻大功率器件，因此逐漸受多研究者的關(guān)注。表 1-1 列出了幾種常見半導(dǎo)體材料的物理參數(shù)，通過對以看出 GaN 材料具有明顯的優(yōu)勢，在未來的功率應(yīng)用領(lǐng)域，GaN 材料被i 的理想替代材料。表 1-1 幾種常見半導(dǎo)體的材料參數(shù)[4-5,41]材料 Si GaAs（砷化鎵） 4H-SiC GaN相對介電常數(shù) 11.9 12.5 10 9.5禁帶寬度（eV） 1.12 1.43 3.2 3.4


本文編號：2909598