黑磷薄膜材料的制備及其在器件中的應(yīng)用
【文章頁數(shù)】:75 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
圖1-1典型二維材料的晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)[4]
圖1-1典型二維材料的晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)[4]同一種二維材料堆疊可以形成母體材料,而按需把不同的二維材料堆疊在一起則會形成新的結(jié)構(gòu),稱為范德瓦爾斯異質(zhì)結(jié)(vanderWaalsheterostructures)[4]這種原子級厚的異質(zhì)結(jié)構(gòu)豐富了材料的屬性,可以在此基礎(chǔ)上造出....
圖1-2不同二維材料堆疊的范德瓦爾斯異質(zhì)結(jié)[13]
圖1-2不同二維材料堆疊的范德瓦爾斯異質(zhì)結(jié)[13]維材料及其引申的“人造材料”(即:二維材料范德瓦爾斯異質(zhì)結(jié)多物理、化學(xué)方面的優(yōu)異性能,決定了其在光電、光催化、生物醫(yī)器、場效應(yīng)晶體管(FieldEffectTransistor,簡稱FET)以及非易失
圖1-3(a)黑磷的晶體結(jié)構(gòu)示意圖;(b)黑磷的晶體結(jié)構(gòu)俯視圖
圖1-3(a)黑磷的晶體結(jié)構(gòu)示意圖;(b)黑磷的晶體結(jié)構(gòu)俯視圖[32](Copyright2015,NationalAcademyofSciences.)2014年,美國加州大學(xué)的ZengXiaoCheng課題組通過基于密度泛函的第原理研究了黑磷晶體結(jié)構(gòu)在不同....
圖1-4雙層磷烯的三種堆垛結(jié)構(gòu)(a,b)分別為AA堆垛的俯視圖和側(cè)視圖;(c,d)分別為AB堆垛的俯視圖和側(cè)視圖;(e,f)分別為AC堆垛的俯視圖和側(cè)視圖(R1、R2和dint分別表示兩種類型的P-P鍵的鍵長和層間距)
磷烯的三種堆垛結(jié)構(gòu)(a,b)分別為AA堆垛的俯視圖和側(cè)視圖俯視圖和側(cè)視圖;(e,f)分別為AC堆垛的俯視圖和側(cè)視圖(分別表示兩種類型的P-P鍵的鍵長和層間距)[50]磷烯在三種堆垛結(jié)構(gòu)下的晶格常數(shù)(a和b),鍵長(R1,R2和間距(dint)(單位:)[5....
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