發(fā)布時間：2024-06-28 21:27

　　分別用980nm和830nm的半導體激光器作為泵浦源激發(fā)鉍/鉺共摻光纖,采用前向和背向泵浦方式分析放大的自發(fā)輻射譜特性.實驗結果表明:隨著泵浦功率的增大,熒光強度顯著增強.利用980nm半導體激光器,采用前向泵浦方式可激發(fā)以1 142nm和1 536nm為中心的兩個輻射帶,以1 142nm為最高輻射峰的3dB帶寬是141nm,以1 536nm為最高輻射峰的3dB帶寬是29nm.利用830nm半導體激光器,采用前向泵浦方式可激發(fā)以1 421nm為中心的熒光譜,3dB帶寬是447nm.980nm和830nm激光器分別前向泵浦鉍/鉺共摻光纖時,隨著光纖長度的增加,熒光先增強后減弱;分別背向泵浦鉍/鉺共摻光纖時,隨著光纖長度的增加,熒光強度先逐漸增強后保持穩(wěn)定.在25⁸0℃的溫度范圍內,鉍/鉺共摻光纖的熒光強度幾乎不受溫度的影響.使用980nm和830nm泵浦源同時激發(fā)鉍/鉺共摻光纖,結果表明鉍/鉺共摻光纖的發(fā)光中心具有相對獨立性,發(fā)光范圍存在部分重疊.

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【文章目錄】：
0 引言
1 實驗裝置
2 實驗及結果分析
    2.1 泵浦波長及功率對熒光特性的影響
    2.2 BEDF長度對熒光特性的影響
    2.3 溫度對熒光特性的影響
    2.4 980nm和830nm泵浦源同時激發(fā)BEDF
3 結論



本文編號：3996687