高密度電阻率法分辨率影響因素研究及應(yīng)用
【學(xué)位單位】:成都理工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位年份】:2018
【中圖分類】:P631.322
【部分圖文】:
= 式代入(2-12)式得:= 取決于裝置的類型和大小,對(duì)于確定的裝置,可以認(rèn)為阻率 是與 M 和 N 的電流密度 和介質(zhì)電阻率 成正阻率的微分形式,在分析一些理論計(jì)算結(jié)果時(shí)經(jīng)常要用-1 中,對(duì)于在電阻率為 的圍巖中,賦存一個(gè)電阻率為 下,由于電流匯聚于導(dǎo)體,其結(jié)果必然有 < 。又2-14)可得 < 。對(duì)于在電阻率為 的圍巖中,賦存一體的情況下,由于電流受高阻巖體的排斥,其結(jié)果是 ,可有式(2-14)得 > 。
圖 2-1 視電阻率與地電斷面性質(zhì)的關(guān)系.2 高密度電阻率法的裝置介紹高密度電阻率法的裝置類型有很多,經(jīng)前人的總結(jié)實(shí)踐,一般情況下使用下三種裝置就可以解決大部分問題。.α排列(溫納裝置 AMNB)是對(duì)稱四級(jí)裝置的一個(gè)特例 ,即 AM=MN=NB=nx=a 為一個(gè)電極距,其中 為單位電極距,n 為隔離系數(shù)。電極排列如圖 2-2 所示,其裝置系數(shù)為:K=2πa。
條剖面;接著使相鄰兩電極之間的距離增大一個(gè)單位電極距,A、M、N、B 再次逐點(diǎn)沿測線移動(dòng),得到下一條剖面;重復(fù)上述步驟不斷掃描測量,最后可以得到一個(gè)倒梯形的斷面。2.β排列(偶極裝置 ABMN)電極排列方式如圖 2-3 所示,這種裝置的特點(diǎn)是供電電極 A、B 和測量電極M、N 均采用偶極,并且按一定距離分開。由于四個(gè)電極在一條直線上,又稱軸向偶極。其裝置系數(shù) K=6πa。
【參考文獻(xiàn)】
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本文編號(hào):2879006
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