發(fā)布時(shí)間：2021-01-11 20:09

　　基于三相位求值模式提出了一種三相單軌脈沖寄存器（TSPR）,該寄存器可在時(shí)鐘邊沿到來(lái)之后依次完成放電、充電、寫(xiě)入三個(gè)操作.由于輸出節(jié)點(diǎn)在每個(gè)周期內(nèi)經(jīng)歷一次充電和一次放電操作,因此所有數(shù)據(jù)處理過(guò)程都具有相同功耗,達(dá)到了單元功耗與處理數(shù)據(jù)無(wú)關(guān)的目的.仿真驗(yàn)證表明TSPR邏輯功能正確,并且具有小于1.73%的歸一能量差.進(jìn)一步采用TSPR實(shí)現(xiàn)高級(jí)加密標(biāo)準(zhǔn)（AES）算法中的8位S盒結(jié)構(gòu)以驗(yàn)證其抗差分功耗分析（DPA）攻擊能力.實(shí)驗(yàn)結(jié)果證明:TSPR可以將正確密鑰與功耗之間的相關(guān)性系數(shù)降低81.82%,有效地減少數(shù)據(jù)處理過(guò)程中的信息泄露,提高電路的抗攻擊能力. 

【文章來(lái)源】：華中科技大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2020,48(04)北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】：6 頁(yè)

【部分圖文】：

TSPL邏輯結(jié)構(gòu)原理圖

TSPL采用三階段工作模式，分別為預(yù)充電階段、求值階段及放電階段．在預(yù)充電階段，Tpch為高電位，P1晶體管導(dǎo)通，輸出節(jié)點(diǎn)O被充電到高電位；在求值階段，Teva為高電位，N3晶體管導(dǎo)通，輸出節(jié)點(diǎn)O會(huì)根據(jù)下拉網(wǎng)絡(luò)的通斷進(jìn)行放電；在放電階段，Tdch為高電位，此時(shí)N4晶體管導(dǎo)通，輸出節(jié)點(diǎn)O上的殘余電荷被完全泄放掉．圖2為T(mén)SPL邏輯結(jié)構(gòu)的工作時(shí)序圖．在一個(gè)完整的求值周期內(nèi)，TSPL邏輯單元都會(huì)進(jìn)行預(yù)充電、求值、放電三個(gè)操作，輸出節(jié)點(diǎn)總會(huì)在求值周期開(kāi)始時(shí)充電到1，而在求值周期結(jié)束時(shí)放電到0，不會(huì)受到輸入信號(hào)的影響，從而保證了在一個(gè)周期內(nèi)的功耗恒定，具有很好的抵抗DPA攻擊的能力．

TSPR的工作原理如下：當(dāng)時(shí)鐘在低電平時(shí)，此時(shí)TDCH信號(hào)與TEVA信號(hào)為低電平，TPRE信號(hào)為高電平．P1,N1,N3和N4晶體管關(guān)斷，節(jié)點(diǎn)O保持原有的狀態(tài)不變，P2,N6,N7和N8晶體管關(guān)斷，輸出節(jié)點(diǎn)Q不再與信號(hào)TD有關(guān)系而維持在它原有的狀態(tài)．當(dāng)時(shí)鐘上升沿到來(lái)后，寄存器分別經(jīng)過(guò)三個(gè)階段完成數(shù)據(jù)的寫(xiě)入過(guò)程．a(chǎn).放電階段．在時(shí)鐘上升沿到來(lái)之后，TDCH信號(hào)首先由低電位變成高電位，此時(shí)寄存器進(jìn)入放電階段．受TDCH信號(hào)控制的N3,N4,N7,N8晶體管全部導(dǎo)通，同時(shí)由于TPRE信號(hào)仍為高電位，P1和P2晶體管關(guān)斷，使得內(nèi)部節(jié)點(diǎn)O1,Y1,Y2及輸出節(jié)點(diǎn)Q上的電荷都被完全被泄放掉，實(shí)現(xiàn)寄存器內(nèi)部電荷清0.

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]一種基于寄存器翻轉(zhuǎn)時(shí)刻隨機(jī)化的抗DPA攻擊技術(shù)[J]. 樂(lè)大珩,齊樹(shù)波,李少青,張民選.  計(jì)算機(jī)研究與發(fā)展. 2012(03)



本文編號(hào)：2971401