發(fā)布時間：2017-12-30 10:19

  本文關(guān)鍵詞：基于Mueller矩陣橢偏儀的納米壓印模板與光刻膠光柵結(jié)構(gòu)準(zhǔn)確測量　出處：《物理學(xué)報》2014年18期 　論文類型：期刊論文

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【摘要】：在納米壓印工藝中,對模板和壓印結(jié)構(gòu)的幾何參數(shù)進(jìn)行快速、低成本、非破壞性地準(zhǔn)確測量具有非常重要的意義.與傳統(tǒng)光譜橢偏儀只能改變波長和入射角2個測量條件并且在每一組測量條件下只能獲得振幅比和相位差2個測量參數(shù)相比,Mueller矩陣橢偏儀可以改變波長、入射角和方位角3個測量條件,而且在每一組測量條件下都可以獲得一個4×4階Mueller矩陣共16個參數(shù),因此可以獲得更為豐富的測量信息.通過選擇合適的測量條件配置,充分利用Mueller矩陣中的測量信息,有望實現(xiàn)更為準(zhǔn)確的納米結(jié)構(gòu)測量.基于此,本文利用自主研制的Mueller矩陣橢偏儀對硅基光柵模板和納米壓印光刻膠光柵結(jié)構(gòu)進(jìn)行了測量.實驗結(jié)果表明,通過對Mueller矩陣橢偏儀進(jìn)行測量條件優(yōu)化配置,并且在光學(xué)特性建模時考慮測量過程中出現(xiàn)的退偏效應(yīng),可以實現(xiàn)壓印工藝中納米結(jié)構(gòu)線寬、線高、側(cè)壁角以及殘膠厚度等幾何參數(shù)更為準(zhǔn)確的測量,同時對于納米壓印光刻膠光柵結(jié)構(gòu)還可以直接得到光斑照射區(qū)域內(nèi)殘膠厚度的不均勻性參數(shù).
[Abstract]:......
【作者單位】： 華中科技大學(xué) 數(shù)字制造裝備與技術(shù)國家重點實驗室;華中科技大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;華中科技大學(xué)光學(xué)與電子信息學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號:91023032,51005091) 國家重大科學(xué)儀器設(shè)備開發(fā)專項(批準(zhǔn)號:2011YQ160002) 教育部長江學(xué)者和創(chuàng)新團(tuán)隊發(fā)展計劃資助的課題~~
【分類號】：TH74
【正文快照】： 級尺度的測量,但其顯著缺點是速度慢、成本高、設(shè)1 31 備操作復(fù)雜、難以集成到制造工藝線上實現(xiàn)在線測^ 量.與之相反,光學(xué)測量方法如光學(xué)散射測量技術(shù)納米壓印是一種利用模板將圖形轉(zhuǎn)移到襯底 (optical scatter ometry),具有速度快、成本低、無接上的批量化納米制造工藝[1,2】

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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【二級參考文獻(xiàn)】

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