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  本文關鍵詞：石墨烯-六方氮化硼面內異質結構的掃描隧道顯微學研究　出處：《物理學報》2015年07期 　論文類型：期刊論文

  更多相關文章： 石墨烯 六方氮化硼 面內異質結構 掃描隧道顯微鏡

【摘要】：石墨烯-六方氮化硼面內異質結構因可調控石墨烯的能帶結構而受到廣泛關注.本文介紹了在超高真空體系內,利用兩步生長法在兩類對石墨烯分別有強和弱電子摻雜的基底,即Rh(111)和Ir(111)上制備石墨烯-六方氮化硼單原子層異質結構.通過掃描隧道顯微鏡及掃描隧道譜對這兩種材料的形貌和電子結構進行研究發(fā)現(xiàn):石墨烯和六方氮化硼傾向于拼接生長形成單層的異質結構,而非形成各自分立的疇區(qū);在拼接邊界處,石墨烯和六方氮化硼原子結構連續(xù)無缺陷;拼接邊界多為鋸齒形型,該實驗結果與密度泛函理論計算結果相符合;拼接界面處的石墨烯和六方氮化硼分別具有各自本征的電子結構,六方氮化硼對石墨烯未產生電子摻雜效應.
[Abstract]:The in-plane heterostructure of graphene hexagonal boron nitride has attracted much attention because of its adjustable energy band structure. The two-step growth method was used in two kinds of substrates with strong and weak electron doping for graphene. Rh (111) and Irn (111). The morphologies and electronic structures of graphene hexagonal boron nitride monatomic layer were investigated by scanning tunneling microscope and scanning tunneling spectroscopy. Graphene and hexagonal boron nitride tend to form monolayer heterostructures. Instead of forming separate domain regions; The atomic structure of graphene and hexagonal boron nitride is continuous without defects at the splicing boundary. Most of the splicing boundaries are serrated, and the experimental results are in agreement with the results of density functional theory (DFT). The graphene and hexagonal boron nitride at the splicing interface have their own intrinsic electronic structures respectively. The hexagonal boron nitride has no electron doping effect on graphene.
【作者單位】： 北京大學化學與分子工程學院 北京大學納米化學研究中心;北京大學工學院材料科學與工程系;
【基金】：國家自然科學基金(批準號:51222201,51290272,11304053,51121091) 國家科技支撐計劃(批準號:2011CB921903,2012CB921404,2012CB933404,2011CB93300,2013CB932603)資助的課題~~
【分類號】：O611.2;TH742
【正文快照】： 子重構等[4-10].2010年,Ajayan組首次報道利用1引言化學氣相沉積(chemical vapor deposition,CVD)方法,將甲烷和硼烷胺在銅箔上共沉積制備少層石墨烯是一種由sp2雜化碳原子組成的具有蜂h-BN-G異質結構[11].通過調控甲烷和硼烷胺的比窩狀晶格的二維單原子層材料.由于石墨烯在室

【共引文獻】

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