基于射頻MEMS開關(guān)的衰減器關(guān)鍵技術(shù)研究
【學(xué)位單位】:中北大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位年份】:2019
【中圖分類】:TH703
【部分圖文】:
圖 1.1 DC~40GHz 衰減器芯片Amir Effendy等人于2011年設(shè)計(jì)并制造了一減器的主要微波傳輸結(jié)構(gòu)為共面波導(dǎo)氧化鋁基板。圖 1.2 DC~67GHz π 型 5dB 衰減器的托木斯克國(guó)立大學(xué)的 Nikolay N. Voronin 定衰減器[12],如圖 1.3 所示。該系列衰減器波信號(hào),其固定衰減值分別為 3dB、6dB、
班牙坎塔布里亞大學(xué)的 Juan L. Cano 團(tuán)隊(duì)研究并制作了一款基0dB 固定衰減器[10],如圖 1.1 所示。該芯片使用了溫度穩(wěn)定的氮率的晶體石英作為基板材料以及內(nèi)部散熱結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),其工其插入損耗在工作頻帶內(nèi)為 19.9 dB±0.65 dB,回波損耗均優(yōu)于圖 1.1 DC~40GHz 衰減器芯片驗(yàn)室的Amir Effendy等人于2011年設(shè)計(jì)并制造了一款5dB固定衰示。該衰減器的主要微波傳輸結(jié)構(gòu)為共面波導(dǎo),工作頻率范其襯底為氧化鋁基板。
圖 1.3 基于 GaAs 的一系列固定衰減器特單片衰減器研究現(xiàn)狀紀(jì)以來國(guó)內(nèi)外都開始進(jìn)行了基于有源開關(guān)的單片步進(jìn)衰減器的研究格我們可以看出基于傳統(tǒng)的 PIN 開關(guān)、FET 開關(guān)制成的單片衰減器、回波損耗較低、體積較大并且衰減平坦度較低。而且 2013 年后對(duì)的研究鮮有報(bào)道。針對(duì)以上問題國(guó)外研究團(tuán)隊(duì)嘗試將射頻 MEMS 開步進(jìn)衰減器中。表 1.2 基于傳統(tǒng)開關(guān)的衰減器研究總結(jié)究機(jī)構(gòu) 結(jié)構(gòu)描述 性能描述 時(shí)t technologies&D[14]基于 GaAs FET 開關(guān) 工作頻帶 DC~6GHz 20
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