發(fā)布時(shí)間：2024-04-23 20:36

　　近年來我國科學(xué)技術(shù)得到了迅速的發(fā)展,電子器件也朝著微細(xì)化的方向進(jìn)行發(fā)展,對(duì)于電子檢測(cè)工作也提出了更高的要求。電感耦合等離子體發(fā)射光譜(ICP-OES)作為精密度比較高的一種檢測(cè)技術(shù),正因?yàn)镮CP-OES設(shè)備比較精密,在使用過程中才會(huì)受到多種外界因素的干擾,影響到檢測(cè)結(jié)果的精準(zhǔn)度,這也就需要相關(guān)技術(shù)人員能夠強(qiáng)化對(duì)ICP-OES設(shè)備的使用跟維護(hù)工作,確保ICP-OES的運(yùn)行效果。

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【部分圖文】：

圖1ICP-OES設(shè)備刻蝕系統(tǒng)原理圖

在ICP-OES設(shè)備上配置有兩個(gè)獨(dú)立頻率的射頻發(fā)生器,分別是源射頻發(fā)射器以及偏壓射頻發(fā)生器,具體刻蝕原理如圖1所示。源射頻發(fā)生器主要作用于上電極側(cè)壁的感應(yīng)線圈,偏壓射頻發(fā)生器則主要作用于下電極。當(dāng)射頻發(fā)生器中的射頻能量耦合到反應(yīng)腔室內(nèi)后,感應(yīng)線圈會(huì)直接產(chǎn)生交變的電磁場(chǎng),當(dāng)電場(chǎng)的強(qiáng)....

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