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高性能單光子源及其量子光學性質(zhì)

發(fā)布時間:2020-12-04 06:22
  本論文基于微柱腔結(jié)構(gòu)的自組裝半導體量子點,研究并討論了高性能單光子源和接近Fourier變換極限的單光子。此外,我們還研究并討論了太陽光與量子點共振熒光之間的量子干涉等課題。基于微柱腔結(jié)構(gòu)的量子點,我們實現(xiàn)了國際綜合性能最優(yōu)的單光子源。理想的單光子源必須是按需發(fā)射的并且同時滿足高提取效率、高單光子性和高光子全同性三大核心指標,而此前這三個指標并沒有在單個器件上同時滿足。我們通過分子束外延生長和光學刻蝕工藝相結(jié)合,獲得了高品質(zhì)、可調(diào)諧、與量子點頻率共振的光學微腔。通過脈沖共振熒光和Purcell增強技術(shù),實驗上獲得了Purcell因子達到6.2(1)、提取效率達到~66%、單光子性達到99.1(1)%、光子全同性達到98.5(4)%的“三項全能”單光子源。緊接著,我們又進一步證明了這樣的單光子源能夠產(chǎn)生接近Fourier變換極限的單光子,單光子之間的高光子全同性可以維持14.73μs以上,可支持>1 000個光子的光學量子信息研究。該單光子源的亮度與國際上最好的基于參量下轉(zhuǎn)換的單光子源相比提高了~10倍,并且所需要的泵浦激光功率更低,僅為納瓦級別。我們演示了太陽光與量子點共振熒光之... 

【文章來源】:中國科學技術(shù)大學安徽省 211工程院校 985工程院校

【文章頁數(shù)】:120 頁

【學位級別】:博士

【部分圖文】:

高性能單光子源及其量子光學性質(zhì)


圖1.2三種典型的光子數(shù)統(tǒng)計隨時間分布??"

關(guān)聯(lián)函數(shù),光子,分束器


于和#/2,導致P2??巧,從而得到像量子密鑰分發(fā)使用的衰??減激光這樣的準單光子源。像普通的白熾燈、太陽光、LED等光源,光子數(shù)分布??滿足熱光場分布形式,即??(M5)??光子數(shù)漲落滿足An?=?+護>?\^,光子更傾向于聚集在一起,這種分布稱為??“超Poisson分布”,對應(yīng)的光子呈現(xiàn)“聚束”效應(yīng)。像單光子源這樣的量子光場,??光子數(shù)漲落應(yīng)當滿足A??<?這樣的“亞Poisson分布”,光子呈現(xiàn)“反聚束”??效應(yīng),光子之間趨向于遠離彼此。??符合測量??n??^??圖1.3用于測量二階關(guān)聯(lián)函數(shù)的HBT裝置??實驗中,常用如圖1.3所示的HBT裝置測量#2)〇:),該裝置于1956年由??HanburyBrown和Twiss提出I49];驹硎峭ㄟ^分束器將光路一分為二,在兩??路探測光子到達的時間,再對兩路的時間差作出統(tǒng)計,便會發(fā)生HBT效應(yīng)。對??于理想的單光子源,由于光子不能分割,就無法兩路同時探測到光子,HBT效??應(yīng)表現(xiàn)在統(tǒng)計數(shù)據(jù)在特定的時刻出現(xiàn)凹陷。??評判單光子源性能的另一指標是光子全同性。當一個光子經(jīng)過分束器,對應(yīng)??的反射率和透射率分別為和r;當兩個全同光子同時從分束器兩端入射,就??可能出現(xiàn)如圖1.4所示的四種情況。當光子在分束器上發(fā)生反射,會引入:t/2的??相位;透射時則不會。分束器有A、B兩個入射端和C、D兩個出射端,^表示??對應(yīng)端口的產(chǎn)生算符,對初始態(tài)IU15〉,經(jīng)過分束器之后有??=?a\a\?|Q)?=?(i\/^4?+?Vra^xVTal?+?iVRal)?|Q)??=(wfRTa^?-?Ra'ca〇?+?+?iy/TRa^)?|a)?(1.16)??=i\/^(|

反射鏡,量子點


?第2章量子點單光子源???⑷?:,?(b)???........?............?.?#?...??....??...?.....?.#?泛??GaAs???■■■???■????<>????^?Z\〇nin??圖2.1⑷InAs/GaAs材料的晶格失配;(b)?InAs/GaAs量子點的尺寸。??徑的顯微物鏡聚焦成接近衍射極限的光斑(直徑?1pm),如果有多個量子點同??時被激發(fā),產(chǎn)生的熒光將不再滿足單光子條件。為了確保光斑范圍內(nèi)僅有一個量??子點,通常采用梯度生長模式來實現(xiàn)。MBE過程一般包括GaAs襯底和InAs噴射??源,在噴射InAs分子束時,靠近噴射源的區(qū)域富集到的InAs較多,形成的量子點??密度也較高(?100pnT2);遠離噴射源的區(qū)域,量子點密度就較低(?0.1?ptiT2)。??在實驗過程中,我們尋找密度合適的區(qū)域進行研宄。??為了提高單光子的亮度,可以通過MBE技術(shù)將量子點生長到周期性結(jié)構(gòu)中。??圖2.2所示的一維周期性結(jié)構(gòu)稱為“分布式Bragg反射鏡”(DBR),是若干對交??替生長的AlAs/GaAs層結(jié)構(gòu)。兩種材料有著不同的折射率(GaAs折射率較高),??每一層厚度為A/4,?A是微腔共振波長。許多組交替生長的AlAs/GaAs結(jié)構(gòu),相??當于高反射率的反射鏡。對于無任何結(jié)構(gòu)的量子點,產(chǎn)生的熒光沿如空間角傳??播,由于量子點處于高折射率的材料中,能從上方射出材料并被物鏡收集到的熒??光就很少。通過在量子點上下方都生長DBR,其中下方的DBR層數(shù)更多,反射??率也就更高。這樣就使得原來射向下方的熒光從上方出射,收集效率可提高一??倍。另外上下兩組DBR又形成了平面

【參考文獻】:
期刊論文
[1]單光子源及在量子信息領(lǐng)域的應(yīng)用[J]. 段兆晨,李金朋,何玉明.  低溫物理學報. 2018(05)



本文編號:2897149

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