發(fā)布時(shí)間：2018-06-19 18:44

  本文選題：CZTS薄膜 + 太陽電池　； 參考：《人工晶體學(xué)報(bào)》2017年09期

【摘要】：采用濺射法制備含硫預(yù)制層,硫化時(shí)采用不同的升溫速率對經(jīng)過合金處理的含硫預(yù)制層進(jìn)行退火硫化。通過表征薄膜的表面粗糙度,致密性,均勻性來研究硫化時(shí)升溫速率對薄膜表面形貌的影響。結(jié)果表明當(dāng)升溫速率變慢時(shí),薄膜中的CZTS顆粒逐漸增大,雖然較大的顆粒能減少單位面積內(nèi)的晶界,但是薄膜的表面粗糙度卻隨顆粒尺寸的增大而逐漸下降。通過對薄膜的元素組分、晶體結(jié)構(gòu)、相成分進(jìn)行了檢測,確定出薄膜的成分為貧銅富鋅的單相鋅黃錫礦。再通過測量相應(yīng)的沒有Mo層的CZTS薄膜樣品的光電特性來間接的反映擁有Mo層的CZTS薄膜的光電特性。最終制備出結(jié)構(gòu)為SLG/Mo/CZTS/Cd S/i-Zn O/AZO/Ni/Al-grid的CZTS薄膜太陽電池,其中轉(zhuǎn)換效率最高的電池為3.60%。
[Abstract]:The sulfur-containing prefabricated layer was prepared by sputtering method and annealed and vulcanized with different heating rates during vulcanization. The effect of heating rate on the surface morphology of the films was studied by characterizing the surface roughness, density and uniformity of the films. The results show that the CZTS particles in the films increase gradually when the heating rate becomes slower. Although the larger particles can reduce the grain boundaries in the unit area, the surface roughness of the films decreases with the increase of the particle size. The element composition, crystal structure and phase composition of the thin film were determined to be single phase zinc yellow tin with poor copper and zinc content. The photoelectric properties of the CZTS films without Mo layer are indirectly reflected by measuring the photoelectric properties of the CZTS films without Mo layer. Finally, the CZTS thin film solar cells with SLG / MoR / CZTS / CD Sr / I Zn O / AZO / Ni / Al-grid structure were prepared, among which the highest conversion efficiency was 3.60%.
【作者單位】： 云南師范大學(xué)太陽能研究所教育部可再生能源材料先進(jìn)技術(shù)與制備重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室云南省農(nóng)村能源重點(diǎn)工程實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：西南地區(qū)可再生能源研究與開發(fā)協(xié)同創(chuàng)新中心(053002050516009) 國家自然科學(xué)基金(61167003)
【分類號】：TB383.2;TM914.42

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 王莊林;;薄膜科技:人類未來的“生活之鑰”[J];發(fā)明與創(chuàng)新(綜合版);2009年01期

2 崔彩娥,繆強(qiáng),潘俊德;薄膜與基體間的附著力測試[J];電子工藝技術(shù);2005年05期

3 張恒光;楊福馨;盧葉;;熱能觸發(fā)式變色薄膜研制和性能的研究[J];包裝工程;2013年11期

4 但迪迪;張德銀;李坤;謝太斌;李金華;;不同下電極對Sol-Gel LiTaO_3薄膜性能的影響[J];江蘇工業(yè)學(xué)院學(xué)報(bào);2008年01期

5 王輝;梁紅櫻;張欣苑;趙海波;文季秋;;TiN-TiN/CrN-CrN薄膜的制備及應(yīng)用研究[J];工具技術(shù);2009年10期

6 安其;王紅雪;陳素君;;用于制備ZnO薄膜的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積設(shè)備的研制[J];真空;2010年06期

7 李海敏;郭紅力;李雪冬;劉果;肖定全;朱建國;;不同退火方式對0.7BiFeO_3-0.3PbTiO_3薄膜的鐵電性能及漏電流的影響[J];無機(jī)材料學(xué)報(bào);2011年10期

8 喻志農(nóng);相龍鋒;李玉瓊;薛唯;;SiO_2緩沖層對柔性ITO薄膜特性的影響[J];稀有金屬材料與工程;2009年03期

9 閻有花;劉迎春;方玲;盧志超;周少雄;李正邦;;硫分壓對光吸收層CuInS_2薄膜性能的影響[J];稀有金屬材料與工程;2009年05期

10 孫義明,周建剛,彭少賢,酈華興,胡玉琴;薄膜用聚乙烯醇改性的研究現(xiàn)狀及進(jìn)展[J];包裝工程;2004年03期

相關(guān)會(huì)議論文 前10條

1 ;論文展示 七、薄膜與厚膜制備技術(shù)與科學(xué)[A];第十四屆全國高技術(shù)陶瓷學(xué)術(shù)年會(huì)摘要集[C];2006年

2 文峰;黃楠;孫鴻;劉艷文;;直流磁過濾弧源沉積合成不同N分壓下的C:N薄膜性能研究[A];第五屆全國表面工程學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];2004年

3 吳艷萍;冷永祥;黃楠;白彬;張鵬程;;基體偏壓對CrN_x薄膜性能影響研究[A];TFC'07全國薄膜技術(shù)學(xué)術(shù)研討會(huì)論文摘要集[C];2007年

4 王錦標(biāo);杜一帥;楊蘋;黃楠;;退火對于氧化鈦薄膜表面化學(xué)態(tài)和表面能的影響[A];2010中國·重慶第七屆表面工程技術(shù)學(xué)術(shù)論壇暨展覽會(huì)論文集[C];2010年

5 楊小飛;方亮;殷波;;退火處理對溶膠-凝膠法制備AZO薄膜性能的影響[A];中國真空學(xué)會(huì)2008年學(xué)術(shù)年會(huì)論文摘要集[C];2008年

6 彭香藝;劉偉;吳瓊;蔡瑜琨;莫曉亮;陳國榮;;噴霧熱解法制備CuInS_2薄膜[A];第八屆華東三省一市真空學(xué)術(shù)交流會(huì)論文集[C];2013年

7 曹麗冉;陳新亮;薛俊明;張德坤;孫建;趙穎;耿新華;;氧分壓對低溫制備In_2O_3:Sn薄膜性能的影響[A];第十屆中國太陽能光伏會(huì)議論文集：迎接光伏發(fā)電新時(shí)代[C];2008年

8 丁曉峰;韓東麟;張弓;莊大明;;硒化溫度對CuInSe_2薄膜性能的影響[A];TFC'05全國薄膜技術(shù)學(xué)術(shù)研討會(huì)論文摘要集[C];2005年

9 沈臘珍;胡明;吳曉恩;古美良;劉業(yè);;電磁屏蔽導(dǎo)電聚吡咯薄膜的研究[A];2006年全國功能材料學(xué)術(shù)年會(huì)專輯（Ⅲ）[C];2006年

10 王利霞;李建平;何秀麗;高曉光;;用于微測輻射熱計(jì)的二氧化釩薄膜的制備[A];中國真空學(xué)會(huì)第六屆全國會(huì)員代表大會(huì)暨學(xué)術(shù)會(huì)議論文摘要集[C];2004年

相關(guān)博士學(xué)位論文 前5條

1 郝常山;磁控濺射ZnO:Al(H)薄膜中的缺陷對電學(xué)性能和光學(xué)性能的影響機(jī)制研究[D];中國科學(xué)技術(shù)大學(xué);2013年

2 孫智勇;層狀無機(jī)超分子材料取向薄膜的組裝及性能研究[D];北京化工大學(xué);2012年

3 王佃剛;脈沖激光沉積羥基磷灰石/生物玻璃復(fù)合薄膜的研究[D];山東大學(xué);2009年

4 徐任信;壓電陶瓷/聚合物復(fù)合材料薄膜的極化與性能研究[D];武漢理工大學(xué);2005年

5 李汝冠;低損耗BZN/BST介電薄膜及微波變?nèi)莨芗夹g(shù)研究[D];電子科技大學(xué);2013年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前10條

1 高鳳全;TiO_2薄膜的制備、改性及其光催化性能研究[D];南京理工大學(xué);2015年

2 趙騎;柔性透光自清潔薄膜的制備及性能研究[D];蘭州大學(xué);2015年

3 盧鑫;SrMnO_3薄膜的制備及物性研究[D];蘇州大學(xué);2015年

4 吳冷西;Ni-Ti-Hf高溫形狀記憶合金薄膜的制備與表征[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2015年

5 王苗;基于穩(wěn)定固溶體團(tuán)簇模型的無擴(kuò)散阻擋層Cu-Ni-M三元薄膜[D];大連理工大學(xué);2015年

6 邵茜;擴(kuò)散工藝制備TiNi薄膜和Ti/Ni擴(kuò)散偶及Ti-Ni系互擴(kuò)散行為的研究[D];上海交通大學(xué);2015年

7 陳紅麗;銅鋅錫硫硒薄膜的硒化工藝及其光電性能研究[D];河南大學(xué);2015年

8 韓皓;共濺射法制備Cu_2ZnSnS_4薄膜相組成及微觀組織結(jié)構(gòu)優(yōu)化[D];北京有色金屬研究總院;2016年

9 張玉蕾;NBT基無鉛薄膜的壓電和儲(chǔ)能性能[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2016年

10 丁帥;BTO薄膜的制備及其調(diào)制器應(yīng)用的基礎(chǔ)研究[D];哈爾濱工業(yè)大學(xué);2016年

，

本文編號：2040890