發(fā)布時間：2024-07-01 21:43

　　本文基于聚二甲基硅氧烷(PDMS)微結構圖章的轉印技術將紫外固化膠圖形轉移到PMMA基底上,形成紫外固化膠/PMMA雙層膠結構,用等離子刻蝕(RIE)后,得到具有內(nèi)切結構的光刻膠掩膜,鍍金屬膜并去膠獲得周期性微納結構。由于界面間粘附能的差異,紫外固化膠圖形可以在無粘附劑輔助下成功轉移到PMMA基底上。比較PMMA和這種紫外固化膠在氧氣等離子中的刻蝕速率,表明紫外固化膠在氧氣等離子體中具有高抗刻蝕性,有利于底層的PMMA形成去膠所需的內(nèi)切結構。

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【部分圖文】：

圖３．１０微納米線陣結構的ＳＥＭ圖??

３．２．９?基于紫外固化膠／ＰＭＭＡ雙層膠轉印技術的微納結構制作的結果??根據(jù)前文所介紹的實驗過程，并且迪過對在實驗中所出現(xiàn)的問題進行改進，??最終得到較為理想的實驗結果。如下圖３．９，是通過基于紫外固化膠／ＰＭＭＡ雙??層膠轉印技術得到的微結構的ＳＥＭ圖。從圖中我們可Ｗ看出ＰＭ....

圖３．１１微納米娃點陣ＳＥＭ圓??

３．２．９?基于紫外固化膠／ＰＭＭＡ雙層膠轉印技術的微納結構制作的結果??根據(jù)前文所介紹的實驗過程，并且迪過對在實驗中所出現(xiàn)的問題進行改進，??最終得到較為理想的實驗結果。如下圖３．９，是通過基于紫外固化膠／ＰＭＭＡ雙??層膠轉印技術得到的微結構的ＳＥＭ圖。從圖中我們可Ｗ看出ＰＭ....

本文編號：3999225