SiC/SiC復合材料氧化退化研究進展
發(fā)布時間:2024-07-05 05:53
從SiC/SiC復合材料氧化行為、氧化環(huán)境下的失效機理與力學性能三個方面,對SiC/SiC復合材料氧化退化的研究進展進行了綜述。文中總結(jié)了影響材料氧化行為的重要因素,包括溫度、氧分壓、水蒸汽以及界面層厚度等。詳細分析了材料在不同溫度范圍內(nèi)的失效機制,即氧化脆化是SiC/SiC復合材料在中溫范圍內(nèi)的重要失效機制,材料在高溫下的失效主要是由纖維強度退化、蠕變及界面氧化引起的。總結(jié)出:界面氧化消耗、纖維性能退化是引起材料力學性能退化的關(guān)鍵因素,指出了目前研究中存在的問題和發(fā)展方向。
【文章頁數(shù)】:18 頁
【文章目錄】:
1 引言
2 Si C/Si C復合材料的氧化行為
2.1 氧化劑的擴散通道
2.2 氧化動力學行為
2.2.1 Si C/Py C/Si C復合材料的氧化動力學行為
2.2.2 Si C/BN/Si C復合材料的氧化動力學行為
2.2.3 氧化動力學模型
3 氧化失效機理
3.1 高溫氧化失效
3.2 熱力氧耦合環(huán)境下的失效
4 氧化環(huán)境下的力學行為
4.1 氧化后力學行為
4.2 熱力氧耦合環(huán)境下力學行為
4.2.1 氧化環(huán)境下的靜態(tài)拉伸和彎曲性能
4.2.2 氧化環(huán)境下的應力斷裂和蠕變行為
4.2.3 氧化環(huán)境下的疲勞性能
4.2.4 氧化環(huán)境下力學行為模擬
5 總結(jié)與展望
本文編號:4001138
【文章頁數(shù)】:18 頁
【文章目錄】:
1 引言
2 Si C/Si C復合材料的氧化行為
2.1 氧化劑的擴散通道
2.2 氧化動力學行為
2.2.1 Si C/Py C/Si C復合材料的氧化動力學行為
2.2.2 Si C/BN/Si C復合材料的氧化動力學行為
2.2.3 氧化動力學模型
3 氧化失效機理
3.1 高溫氧化失效
3.2 熱力氧耦合環(huán)境下的失效
4 氧化環(huán)境下的力學行為
4.1 氧化后力學行為
4.2 熱力氧耦合環(huán)境下力學行為
4.2.1 氧化環(huán)境下的靜態(tài)拉伸和彎曲性能
4.2.2 氧化環(huán)境下的應力斷裂和蠕變行為
4.2.3 氧化環(huán)境下的疲勞性能
4.2.4 氧化環(huán)境下力學行為模擬
5 總結(jié)與展望
本文編號:4001138
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