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  本文關(guān)鍵詞： 調(diào)制自由載流子輻射 掃頻檢測 PN結(jié)電容 參數(shù)測量　出處：《物理學報》2014年22期 　論文類型：期刊論文

【摘要】：建立了調(diào)制激光誘發(fā)硅太陽能電池的少數(shù)載流子密度波數(shù)學模型,并利用光致載流子輻射檢測摻雜濃度、阻抗及載流子輸運參數(shù).對頻域響應(yīng)曲線中的雙彎曲效應(yīng)進行了研究,構(gòu)建了小交流信號作用的太陽能電池等效電路拓撲結(jié)構(gòu),仿真分析了不同摻雜濃度、阻抗電阻和載流子傳輸參數(shù)對頻響曲線拐點的影響.通過光致載流子輻射頻域掃描實驗與多參數(shù)擬合檢測了單晶硅太陽電池的施/受主濃度、并聯(lián)電阻和載流子輸運參數(shù).結(jié)果表明:光致載流子輻射技術(shù)檢測大面積太陽能電池頻響曲線的雙彎曲是由電容效應(yīng)所引起的,建立的數(shù)學模型可定量描述和預(yù)測檢測結(jié)果,并用于測量太陽能電池的摻雜濃度、電阻和載流子輸運參數(shù).
[Abstract]:A mathematical model of minority carrier density wave for modulated laser induced silicon solar cells is established. The double bending effect in frequency domain response curve is studied by using photoinduced carrier radiation to detect doping concentration, impedance and carrier transport parameters. The topology of solar cell equivalent circuit with small AC signal is constructed, and the different doping concentration is simulated and analyzed. The influence of impedance resistance and carrier transmission parameters on the inflexion point of frequency response curve was studied. The concentration of single crystal silicon solar cell was measured by photo-induced carrier radiation frequency-domain scanning experiment and multi-parameter fitting. Parallel resistance and carrier transport parameters. The results show that the double bending of the frequency response curve of a large area solar cell is caused by the capacitance effect, and the established mathematical model can quantitatively describe and predict the detection results. It is also used to measure the doping concentration, resistance and carrier transport parameters of solar cells.
【作者單位】： 哈爾濱工業(yè)大學機電工程學院;Center
【分類號】：TM914.41

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