發(fā)布時間：2024-06-02 09:31

　　由于柔性有機場效應(yīng)晶體管在可穿戴、便攜式等電子學(xué)方面的重要應(yīng)用,使其受到研究者的廣泛關(guān)注。然而,相比于p型柔性有機場效應(yīng)晶體管,n型柔性有機場效應(yīng)晶體管的發(fā)展相對滯后,性能較低,穩(wěn)定性較差,且n型有機半導(dǎo)體的種類相對較少。鑒于n型有機場效應(yīng)晶體管在電子電路及光電子電路等方面的重要應(yīng)用,因此,穩(wěn)定的n型柔性有機場效應(yīng)晶體管的發(fā)展是十分必要的。其中,PTCDI-C13作為商業(yè)化的n型小分子材料,具有良好的電學(xué)、光電學(xué)性能以及優(yōu)異的穩(wěn)定性。本論文基于真空氣相沉積法獲得了高質(zhì)量的PTCDI-C13有機薄膜,制備PTCDI-C13有機薄膜場效應(yīng)晶體管,并研究其柔性器件電學(xué)性能和光電性能。主要內(nèi)容如下:1.利用真空氣相沉積法制備PTCDI-C13薄膜場效應(yīng)晶體管,并通過優(yōu)化絕緣層以及半導(dǎo)體的沉積條件,獲得高性能穩(wěn)定的PTCDI-C13薄膜晶體管。實驗結(jié)果顯示,當(dāng)PTCDI-C13沉積的襯底溫度為45℃,沉積速率為0.05?/s時,在PMMA、PVA和c-PVA三種柔性聚合物絕緣層上能夠獲得薄膜晶體管的最優(yōu)場效應(yīng)性能;且基于PMMA絕緣層制備的薄膜晶體管具有更高的場效應(yīng)性能和更好的操作穩(wěn)定性,器件的...

【文章頁數(shù)】：63 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第一章 緒論
    1.1 引言
    1.2 有機場效應(yīng)晶體管簡介
        1.2.1 有機場效應(yīng)晶體管的工作原理
        1.2.2 有機場效應(yīng)晶體管的基本結(jié)構(gòu)
        1.2.3 有機場效應(yīng)晶體管的基本參數(shù)
    1.3 有機薄膜場效應(yīng)晶體管的制備及性能優(yōu)化
    1.4 超柔性有機場效應(yīng)晶體管的發(fā)展現(xiàn)狀
    1.5 本論文的主要工作及選題意義
第二章 PTCDI-C13 n型有機薄膜場效應(yīng)晶體管的制備及其性能優(yōu)化
    2.1 引言
    2.2 PTCDI-C13材料介紹
    2.3 PTCDI-C13 n型有機薄膜場效應(yīng)晶體管性能研究
        2.3.1 基于不同絕緣層制備的PTCDI-C13 n型OTFT性能研究
        2.3.2 優(yōu)化PTCDI-C13在不同絕緣層上的沉積條件以優(yōu)化薄膜器件性能
    2.4 PTCDI-C13薄膜場效應(yīng)晶體管的操作穩(wěn)定性
    2.5 本章小結(jié)
第三章 超薄柔性PTCDI-C13有機薄膜場效應(yīng)晶體管制備及性能研究
    3.1 引言
    3.2 PTCDI-C13在單層、雙層絕緣層上薄膜場效應(yīng)晶體管的電學(xué)性能研究
    3.3 以PMMA為絕緣層,PVA為支撐層的超薄柔性PTCDI-C13薄膜場效應(yīng)晶體管的制備及性能研究
        3.3.1 超薄柔性PTCDI-C13有機薄膜場效應(yīng)晶體管制備
        3.3.2 大面積超薄柔性PTCDI-C13薄膜場效應(yīng)晶體管基本性能研究
        3.3.3 超薄柔性PTCDI-C13薄膜場效應(yīng)晶體管彎曲性能研究
    3.4 以PMMA/PVA雙層絕緣層且無支撐層的PTCDI-C13薄膜晶體管的制備及性能研究
        3.4.1 以PMMA/PVA雙層絕緣層,無支撐層的PTCDI-C13薄膜場效應(yīng)晶體管的制備
        3.4.2 以PMMA/PVA為絕緣層制備PTCDI-C13薄膜場效應(yīng)晶體管在三維球面上基本性能研究
        3.4.3 超薄柔性PTCDI-C13薄膜場效應(yīng)晶體管褶皺性能研究
    3.5 本章小結(jié)
第四章 超薄柔性PTCDI-C13薄膜光晶體管性能研究
    4.1 引言
    4.2 PTCDI-C13薄膜光晶體管的基本光響應(yīng)性能研究
    4.3 超薄柔性大面積PTCDI-C13薄膜光晶體管的性能研究
    4.4 超薄柔性PTCDI-C13薄膜光晶體管的彎曲性能研究
    4.5 本章小結(jié)
第五章 總結(jié)
參考文獻
致謝
在學(xué)期間發(fā)表的論文、申請專利及參加會議情況



本文編號：3987150