發(fā)布時間：2018-06-10 01:15

  本文選題：嵌入式系統(tǒng) + 存儲機制�。� 參考：《華中科技大學學報(自然科學版)》2017年01期

【摘要】：為解決當前固態(tài)存儲系統(tǒng)有效適應(yīng)大規(guī)模數(shù)據(jù)高速存儲的問題,以NAND Flash為存儲介質(zhì),利用循環(huán)SRAM緩沖、多體存儲陣列、交叉開關(guān)矩陣等技術(shù)實現(xiàn)了低速Flash芯片陣列構(gòu)建的嵌入式高速數(shù)據(jù)存儲機制.其中SRAM緩沖陣列采用了讀寫分組和循環(huán)管理,Flash陣列采用并行雙總線架構(gòu)、分組交叉編址和多級流水線技術(shù),同時利用基于總線開關(guān)的交叉矩陣對兩個陣列進行連接,提高了系統(tǒng)的讀寫帶寬并增強了系統(tǒng)可擴展性.理論分析和仿真實驗結(jié)果表明:該存儲機制能夠有效適用于嵌入式大規(guī)模數(shù)據(jù)的存儲,對Flash讀寫操作的最大加速比將近20倍,具有良好的數(shù)據(jù)訪問性能.
[Abstract]:In order to solve the problem that current solid-state storage system can effectively adapt to large-scale high-speed data storage, NAND Flash is used as storage medium, cyclic SRAM buffer is used, and multi-body storage array is used. Cross-switch matrix and other technologies implement the embedded high-speed data storage mechanism based on low-speed Flash chip array. The SRAM buffer array is composed of read / write packet and cycle management flash array using parallel dual bus architecture, packet cross addressing and multilevel pipeline technology. At the same time, the two arrays are connected by the cross matrix based on bus switch. The read and write bandwidth of the system is improved and the system expansibility is enhanced. Theoretical analysis and simulation results show that the proposed storage mechanism can be applied to the storage of embedded large-scale data effectively. The maximum speedup of Flash read and write operation is nearly 20 times, and it has good data access performance.
【作者單位】： 華僑大學計算機科學與技術(shù)學院;
【基金】：國家自然科學基金資助項目(61502181;51305142) 福建省教育廳中青年教師教育科研項目(JA15043)
【分類號】：TP333

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本文編號：2001468