發(fā)布時(shí)間：2018-07-15 11:47

【摘要】：為了改善TCAM在深亞微米時(shí)代嚴(yán)重的軟錯(cuò)誤現(xiàn)象以及加固所帶來(lái)的高功耗問(wèn)題,改進(jìn)了一種基于刷新機(jī)制的TCAM結(jié)構(gòu).通過(guò)級(jí)聯(lián)式NAND型TCAM匹配線(xiàn)降低系統(tǒng)功耗,左右半?yún)^(qū)分工模式的雙漢明編碼和譯碼糾錯(cuò)電路確保系統(tǒng)可以對(duì)部分兩位翻轉(zhuǎn)進(jìn)行糾錯(cuò),三管DRAM的引入大大降低了由漢明碼糾錯(cuò)帶來(lái)的復(fù)雜時(shí)序.仿真結(jié)果表明,該結(jié)構(gòu)對(duì)所有一位軟錯(cuò)誤有極強(qiáng)的免疫力,對(duì)部分兩位軟錯(cuò)誤有糾錯(cuò)能力.與加固前相比,搜索功耗只增加了29.8%,寫(xiě)入速度和搜索速度基本沒(méi)受影響.該結(jié)構(gòu)極大地增強(qiáng)了低功耗TCAM的抗軟錯(cuò)誤能力.
[Abstract]:In order to improve the serious soft error phenomenon of TCAM in the deep submicron era and the problem of high power consumption caused by reinforcement, a TCAM structure based on refresh mechanism is improved. The power consumption of the system is reduced by concatenated NAND TCAM matching line, and the double hamming coding and decoding error correction circuit of the left and right half-zone division mode ensures that the system can correct the error of part of the two-bit flip. The introduction of three-transistor DRAM greatly reduces the complexity of timing caused by hamming code error correction. The simulation results show that the structure has strong immunity to all soft errors, and has the ability to correct some two-bit soft errors. Compared with before reinforcement, the power consumption of the search is only increased by 29.8b, and the write speed and search speed are almost unaffected. The structure greatly enhances the soft error resistance of low power TCAM.
【作者單位】： 大連理工大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(61306091,61131004,61001054) 大連市科技計(jì)劃(2012F11GH038)
【分類(lèi)號(hào)】：TP333

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：2123962