發(fā)布時(shí)間：2020-12-10 00:01

　　研究閃存(NOR)的讀取原理,并針對(duì)讀取失效的模式進(jìn)行分析討論,通過(guò)測(cè)試的時(shí)延來(lái)解決測(cè)試程序時(shí)鐘的誤判問(wèn)題。 

【文章來(lái)源】：蘇州大學(xué)學(xué)報(bào)(工科版). 2007年06期 第42-44頁(yè)

【文章頁(yè)數(shù)】：3 頁(yè)

【部分圖文】：

閃存的基本存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)圖

的產(chǎn)品在低于3. 0V達(dá)到2. 6V時(shí)仍有效工作,如圖3所示。進(jìn)一步的實(shí)驗(yàn)如圖4所示,所測(cè)試的產(chǎn)品的速度隨著測(cè)試溫度的降低而降低。通過(guò)對(duì)不良品與良品的測(cè)試環(huán)境下的參考電流與參考電壓的對(duì)比,發(fā)現(xiàn)并無(wú)顯著的差異。如表1的數(shù)據(jù)所示。表1　測(cè)試狀況下良品與不良品的參數(shù)值編號(hào)不良品的參考電流值/mA擦除電流編程電流讀取電流診斷電流不良品的參考電壓值/V1 11·06 12·94 10·82 4·10 1·3304 11·00 13·72 11·40 3·84 1·27295 11·68 13·78 10·52 4·26 1·276169 11·46 13·06 12·08 4·64 1·314均值11·30 13·38 11·21 4·21 1·30編號(hào)良品的參考電流值/mA擦除電流編程電流讀取電流診斷電流良品的參考電壓值/V1 11·34 13·12 12·16 4·50 1·3002 11·76 13·58 11·82 4·32 1·3103 11·52 13·32 11·40 4·12 1·2824 11·50 13·38 12·16 4·06 1·280均值11·53 13·35 11·89 4·25 1·293差異(0·23) 0·03 (0·68) (0·04) 0·0052　分析與討論借助光電子顯微鏡觀察晶元的表面,并無(wú)異常現(xiàn)象�？梢�(jiàn)失效的產(chǎn)品并無(wú)結(jié)構(gòu)的缺陷與異常;而電性能的測(cè)試結(jié)果顯示,常溫與高溫時(shí),失效的產(chǎn)品與正常的產(chǎn)品無(wú)差異,只是低溫有讀取失效。讀取是去判別一個(gè)存儲(chǔ)單元的狀態(tài)是“1”還是“0”。最通用的方法是把存儲(chǔ)單元的電流與一標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)單元(Read Reference)的電流比較,如圖5所示。此電流會(huì)被轉(zhuǎn)化為電壓值輸出。當(dāng)一個(gè)新的地址被輸入

的測(cè)試結(jié)果顯示,常溫與高溫時(shí),失效的產(chǎn)品與正常的產(chǎn)品無(wú)差異,只是低溫有讀取失效。讀取是去判別一個(gè)存儲(chǔ)單元的狀態(tài)是“1”還是“0”。最通用的方法是把存儲(chǔ)單元的電流與一標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)單元(Read Reference)的電流比較,如圖5所示。此電流會(huì)被轉(zhuǎn)化為電壓值輸出。當(dāng)一個(gè)新的地址被輸入,會(huì)生成一個(gè)內(nèi)部的脈沖稱為ATD(地址轉(zhuǎn)換檢測(cè)),該脈沖生成一個(gè)讀取操作。43第27卷　　　　　　　　　　　　　高國(guó)陜:閃存的低溫下低工作電壓Vcc讀取失效分析


本文編號(hào)：2907701