65nm閃存基準(zhǔn)電壓調(diào)整算法的應(yīng)用和改進(jìn)
發(fā)布時(shí)間:2021-01-10 15:03
本論文結(jié)合Intel上海科技有限公司65nm NOR型閃存的開發(fā)項(xiàng)目,在深入了解閃存基準(zhǔn)電壓調(diào)整算法的基礎(chǔ)上,將此理論算法應(yīng)用于65nm NOR型閃存,并根據(jù)測(cè)試中遇到的問題作了一定的改進(jìn)。芯片中的基準(zhǔn)電壓是指在電路中用作電壓基準(zhǔn)的高穩(wěn)定度的電壓源,它也是閃存芯片中不可缺少的電路模塊,是閃存實(shí)現(xiàn)各種操作的基礎(chǔ),例如讀寫操作都需要在存儲(chǔ)單元的柵極或漏極加上固定大小的電壓。隨著工藝水平的不斷提高,芯片內(nèi)部的特性有所不同,并且對(duì)基準(zhǔn)電壓的精度要求也越來越高,所以原有的基準(zhǔn)電壓調(diào)整算法就不能適用于65nm的閃存。這就要求在原有算法的基礎(chǔ)上根據(jù)新工藝的一些特性進(jìn)行一定的創(chuàng)新和改進(jìn)。本文從NOR型閃存最基本的寫入機(jī)制入手,詳細(xì)研究原有算法的每一個(gè)步驟,掌握原有算法的關(guān)鍵所在,然后通過大量的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)得到與65nm工藝相關(guān)的一些特性指標(biāo),如寫入特性曲線的斜率等,根據(jù)這些新的特性參數(shù)對(duì)算法進(jìn)行調(diào)整,使其能適用于65nm的工藝水平。一個(gè)好的算法必須要能通過大規(guī)模量產(chǎn)的檢驗(yàn),即要滿足量產(chǎn)的一些要求,如測(cè)試良品率至少要控制在99%以上。本文根據(jù)大規(guī)模測(cè)試中發(fā)生的問題,對(duì)大量的測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行分析,找到問題的共性所...
【文章來源】:復(fù)旦大學(xué)上海市 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:45 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
Flash存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)示意圖
就得到8個(gè)線性函數(shù)表達(dá)式。圖4一1為一組合格裸片的測(cè)試結(jié)果,4條特性曲線的函數(shù)表達(dá)式為:y二1318.sx+4916.7(Veo=SV) y=1347.6x+3984.5(VeG=4V)y=1254.9x+3103.4(Veo=3V) y=986.5lx+2436.1(Veo=ZV)由此可得合格裸片特性曲線斜率的中位數(shù)為 1286mV/decede。值得注意的一個(gè)現(xiàn)象是,特性曲線的斜率并非如第3章中假設(shè)的那樣不隨VcG的變化而變化,而是隨著VcG的增加相應(yīng)的有小幅增加。合合合合合合合合合合合格裸片的特性曲線線線線線線線線線線線線線線線線線線線線線線線線線線線線線 線。。 _______.一_:…萬念{{一下 ____ 7777一‘一,一~,份一,而分一一于-一一一鉀一一一丁‘一一一爭(zhēng)‘二份聲一’ {一 一八八6000}一共一高一偏一一一一拼斗七鄉(xiāng)奮扮畔牛一,,一一,一任二洲一一“一一一一一一一一一一一一 一 >>>{叮二戶一尸尸丫一一_曰~。,八加,二八一 一 一匕匕匕5000與奮碑竺二‘一-‘一-一七戶戶碑叮石一一一一一一高尸二奮戶一
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【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]Flash Memory測(cè)試技術(shù)發(fā)展[J]. 郭桂良,朱思奇,閻躍鵬. 電子器件. 2008(04)
[2]適用于Flash Memory的負(fù)高壓泵的實(shí)現(xiàn)[J]. 周欽,錢松,程君俠. 微電子學(xué)與計(jì)算機(jī). 2007(01)
[3]襯底負(fù)偏置對(duì)FLASH器件耐久性退化的影響[J]. 石凱,許銘真,譚長(zhǎng)華. 半導(dǎo)體學(xué)報(bào). 2006(06)
[4]低功耗高速擦寫Flash Memory的研究[J]. 呂家云,蔣全勝. 合肥工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2006(05)
[5]嵌入式Flash Memory Cell技術(shù)[J]. 封晴. 電子與封裝. 2004(04)
[6]超大容量Flash Memory的應(yīng)用與開發(fā)[J]. 劉瑰,李萬順,朱鴻宇. 微型機(jī)與應(yīng)用. 2003(05)
[7]EEPROM與flash Memory[J]. 于宗光,許居衍,魏同立. 電子器件. 1997(01)
[8]FLASH MEMORY技術(shù)[J]. 盧廷勛,李正孝. 微處理機(jī). 1995(03)
本文編號(hào):2968914
【文章來源】:復(fù)旦大學(xué)上海市 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:45 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
Flash存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)示意圖
就得到8個(gè)線性函數(shù)表達(dá)式。圖4一1為一組合格裸片的測(cè)試結(jié)果,4條特性曲線的函數(shù)表達(dá)式為:y二1318.sx+4916.7(Veo=SV) y=1347.6x+3984.5(VeG=4V)y=1254.9x+3103.4(Veo=3V) y=986.5lx+2436.1(Veo=ZV)由此可得合格裸片特性曲線斜率的中位數(shù)為 1286mV/decede。值得注意的一個(gè)現(xiàn)象是,特性曲線的斜率并非如第3章中假設(shè)的那樣不隨VcG的變化而變化,而是隨著VcG的增加相應(yīng)的有小幅增加。合合合合合合合合合合合格裸片的特性曲線線線線線線線線線線線線線線線線線線線線線線線線線線線線線 線。。 _______.一_:…萬念{{一下 ____ 7777一‘一,一~,份一,而分一一于-一一一鉀一一一丁‘一一一爭(zhēng)‘二份聲一’ {一 一八八6000}一共一高一偏一一一一拼斗七鄉(xiāng)奮扮畔牛一,,一一,一任二洲一一“一一一一一一一一一一一一 一 >>>{叮二戶一尸尸丫一一_曰~。,八加,二八一 一 一匕匕匕5000與奮碑竺二‘一-‘一-一七戶戶碑叮石一一一一一一高尸二奮戶一
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【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]Flash Memory測(cè)試技術(shù)發(fā)展[J]. 郭桂良,朱思奇,閻躍鵬. 電子器件. 2008(04)
[2]適用于Flash Memory的負(fù)高壓泵的實(shí)現(xiàn)[J]. 周欽,錢松,程君俠. 微電子學(xué)與計(jì)算機(jī). 2007(01)
[3]襯底負(fù)偏置對(duì)FLASH器件耐久性退化的影響[J]. 石凱,許銘真,譚長(zhǎng)華. 半導(dǎo)體學(xué)報(bào). 2006(06)
[4]低功耗高速擦寫Flash Memory的研究[J]. 呂家云,蔣全勝. 合肥工業(yè)大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2006(05)
[5]嵌入式Flash Memory Cell技術(shù)[J]. 封晴. 電子與封裝. 2004(04)
[6]超大容量Flash Memory的應(yīng)用與開發(fā)[J]. 劉瑰,李萬順,朱鴻宇. 微型機(jī)與應(yīng)用. 2003(05)
[7]EEPROM與flash Memory[J]. 于宗光,許居衍,魏同立. 電子器件. 1997(01)
[8]FLASH MEMORY技術(shù)[J]. 盧廷勛,李正孝. 微處理機(jī). 1995(03)
本文編號(hào):2968914
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