發(fā)布時(shí)間：2024-06-28 01:23

　　在赤泥酸浸除去硅酸鹽過(guò)程中,硅溶膠到凝膠的過(guò)渡點(diǎn)在過(guò)濾性能方面中起著重要作用。本研究模擬赤泥酸浸過(guò)程中硅膠形成過(guò)程,我們連續(xù)測(cè)量了膠體體系的zeta電位。詳細(xì)研究了影響硅酸鹽溶膠向凝膠轉(zhuǎn)化的各種因素。結(jié)果表明,硫酸在較低濃度下水解和絡(luò)合作用對(duì)緩凝有積極作用。氧化劑對(duì)硅膠的形成起到抑制作用。該方法適用于低濃度膠體體系的分析,可應(yīng)用于含硅固體廢物的酸處理。

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【部分圖文】：

圖1Na2SiO3體積對(duì)Zeta電位的影響

3結(jié)果與討論(1)稀釋膠體體系的電位滴定分析。

圖2不同階段樣品的形態(tài)

Na2SiO3體積對(duì)zeta電位的影響如圖1所示。zeta電位表現(xiàn)出三個(gè)不同的階段。在第一階段,硅酸鹽溶液的體積范圍為0ml到7.73ml,zeta電位范圍為370mV到282mV。在第二階段,硅酸鹽溶液的體積從7.73ml到10.60ml,zeta電位從282mV急劇變化到22....

圖3硫酸濃度對(duì)Zeta電位的影響

硫酸濃度對(duì)zeta電位的影響如圖3所示。隨著硫酸濃度的增加,II期的電位突變向Na2SiO3體積更高的方向移動(dòng),突變點(diǎn)約為100mV。從圖3的插圖可以看出,當(dāng)硫酸濃度從0.05增加到0.3mol/L時(shí),Na2SiO3體積從2.46ml增加到19.98ml,因此硫酸對(duì)延遲混凝有積極....

圖4H2O2濃度對(duì)Zeta電位的影響

雙氧水濃度對(duì)zeta電位的影響如圖4所示。當(dāng)硫酸濃度小于0.2mol/L時(shí),加入雙氧水對(duì)硅膠的形成影響不大,當(dāng)硫酸濃度大于0.2mol/L時(shí),加入雙氧水可以明顯抑制硅膠的形成。氧化劑對(duì)赤泥酸浸過(guò)程中硅膠形成起到抑制作用。4結(jié)論

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