固態(tài)自旋體系和光子的耦合及其應用的理論研究
【學位單位】:中國科學技術大學
【學位級別】:博士
【學位年份】:2020
【中圖分類】:O413
【部分圖文】:
?第一章緒論???比,這里多了一個Dirac算符丨?>,其代表在量子計算中,不同狀態(tài)之間可以線性??組合,我們通常稱之為疊加態(tài):??|^)?=?a|0>?+?^|l)?(1.1)??上式中的a和/?是復數(shù),在通常情況下,可以將其視為實數(shù)。其中丨0)態(tài)和丨1>??態(tài)構成了計算的基礎態(tài),在向量空間中形成一組正交基,而量子態(tài)M》則可視為??二維復矢量空間中的矢量。??與經(jīng)典計算得到確定性結果不同,量子計算中無法通過測量量子比特得到其??量子態(tài),即a和的值。我們只能得到結果為丨0>的概率是丨《丨2,結果為丨1>的概率??是丨/?丨2,而兩者的和|a|2?+?|/?|2?=?l。??為了對量子比特有一個更加形象的理解,將其用空間幾何的形式表示,因為??|?|2?+丨沒丨2?=?1,所以:??Q?Q??\xp)?=?elY(cos—10)?+?eltpsin—\l))?(1.2)??其中y,?0,?均為實數(shù),在實際計算中,少沒有明顯的影響,將其忽略得到:??\xp)?=?cos-10)?+?eltpsin^\l)?(1.3)??公式(1.3)相當于單位三維球面上的一個點,如圖1.1所示,這個球通常被稱??為Bloch球。??1〇)??z^b\??/你?丨奶\??/?\??,???vu??ID??圖1.1量子比特在Bloch球中的表示。??2??
?第一章緒論???1.3.1?III/V族量子點??根據(jù)量子點中自旋協(xié)議,第一批半導體量子比特由III/V族材料制成,其??中超純GaAs/AlGaAs異質(zhì)結構具有很好的生長性,能夠?qū)㈦娮雍涂昭ǖ某叽绮??斷縮小,最終成為一個零維度的“盒子”,即一個量子點(QD)和一個電子。量子點??可以通過自上而下的方法制得,在這種方法中,納米表面電極會消耗掉二維電子??氣中的電荷,如圖1.3(a);或者通過自下而上的生長方法,其中III/V族合金(如??InAs)的微型結構會在GaAs表面自組織生長,如圖1.3(b)。??翻??圖1.3?(a)GaAs/AlGaAs異質(zhì)結構中的量子點,量子點由電極控制。(b)??自組織生長量子點顯微鏡照片。??8??
?第一章緒論???共振。使用具有4.7%同位素的天然29Si作為襯底,由于核自旋浴的限制,其自旋??相干時間T2??200ms[2Q],可以想象,以同位素更豐富的28Si作為襯底,其相干??時間或可延長至?ls,這己在28Si:?P系綜中得到驗證。圖1.4中所展示的設備也??可用來演示31P摻雜的核自旋量子比特,這些核自旋在未來的量子信息處理中可??用作長壽命的量子存儲器[19,2\??就某些方面而言,硅基摻雜量子比特代表了自上而下和自下而上兩種制造方??法的有效組合,因為其將自然且高度可復制的量子比特(單個原子)置于納米級的??電子設備中。與此同時,類似于III/V異質(zhì)結構中的量子點,使用電極控制的人??造原子也取得突破[19]。在Si/SiGe異質(zhì)結構中,兩個量子點中雙電子構成了自旋??單重態(tài)與自旋三重態(tài),他們之間的相干振蕩于2012年被觀測到[23],其形式與III/V??族量子點相類似。由于自然硅中的超精細耦合比較弱,因此測得的退相位時間??360ns,比GaAs中的退相位時間長了一個數(shù)量級,并且使用同位素豐富的??28Si有望進一步提高。???-翁r噼邀??s??圖1.4?Si基量子點的電子顯微鏡照片,下方為自旋量子比特,上方位微??波傳輸線。圖片引自(Pla,?J.?J.,etal.2012)。??1.3.3?IV族金剛石??IV族中還有一種材料非常有希望成為量子信息技術的候選方案,那就是金??剛石。由于金剛石的能帶寬度非常大(5.5el〇,因此存在許多光學活性點缺陷,其??中不少順磁性的則可以作為量子比特。金剛石中研究最多的是NV色心體系,即??金剛石晶體中空位附近的碳原子由一個氮原子取代
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