發(fā)布時(shí)間：2021-01-08 00:32

　　單晶硅是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的主要襯底材料,廣泛應(yīng)用于集成電路、光伏電池等產(chǎn)業(yè)中,是支撐當(dāng)今半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)乃至社會(huì)技術(shù)發(fā)展的基礎(chǔ)材料。單晶硅作為一種典型的硬脆材料,磨削是其最常用的加工方式,然而磨削中不可避免地引入亞表面加工損傷,破壞硅片加工表面完整性,降低最終零部件的性能和壽命。檢測(cè)單晶硅亞表面損傷能夠指導(dǎo)后序損傷去除工藝優(yōu)化,對(duì)于提高單晶硅整體加工效率和加工質(zhì)量意義重大。然而目前缺乏高效的方法檢測(cè)硅片磨削亞表面損傷,導(dǎo)致了硅片的整體加工效率低,成本高。為此本文深入研究了單晶硅磨削亞表面損傷偏振激光散射檢測(cè)方法。首先研究了不同磨削參數(shù)下,單晶硅亞表面損傷的分布規(guī)律。然后根據(jù)電磁場(chǎng)散射理論,建立了亞表面損傷散射電磁場(chǎng)模型,闡述了偏振激光散射檢測(cè)原理;進(jìn)而結(jié)合亞表面損傷的分布,設(shè)計(jì)并搭建了偏振激光散射檢測(cè)系統(tǒng),研究了不同磨削參數(shù)磨削的硅片中亞表面損傷的偏振激光散射檢測(cè)信號(hào)的分布規(guī)律,建立了偏振激光檢測(cè)信號(hào)與亞表面裂紋深度的關(guān)聯(lián)關(guān)系。該研究對(duì)硅片磨削亞表面損傷偏振激光散射檢測(cè)的發(fā)展和應(yīng)用具有重要的指導(dǎo)意義和應(yīng)用價(jià)值。論文主要的研究?jī)?nèi)容和結(jié)論如下:（1）研究了不同磨削工況下,硅片亞表面損傷形態(tài)分布和深度分... 

【文章來源】：大連理工大學(xué)遼寧省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：168 頁

【學(xué)位級(jí)別】：博士

【部分圖文】：

圖１．２硅片制備工藝過程??Ｆｉｇ．?１．２?Ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ?ｆｏｒ?ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ?ｓｉｌｉｃｏｎ?ｗａｆｅｒ??

?桂片磨削亞表面損傷的偏振激光散射檢測(cè)研宄???高質(zhì)量硅片產(chǎn)能嚴(yán)重限制了我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，因此，想要發(fā)展高端芯片必須突??破硅片的高質(zhì)量、高效率加工等基礎(chǔ)加工技術(shù)瓶頸。??芯片９７個(gè)??芯片３７個(gè)?／ｐ?￡＼??，卩—ｑ?丨？?￡＝＝＝＝＝＝＝＝＝??８英寸?１２英寸??圖１．３?８英寸和〗２英寸硅片表面芯片排布示意圖??Ｆｉｇ．?１．３?Ｓｃｈｅｍａｔｉｃｓ?ｏｆ?ａｒｒａｎｇｅｍｅｎｔ?ｏｆ?ｃｈｉｐｓ?ｉｎ?８－ｉｎｃｈ?ａｎｄ?１２－ｉｎｃｈ?ｓｉｌｉｃｏｎ?ｗａｆｅｒｓ??１．］．２單晶硅的性質(zhì)??－Ｚ??桂原子??Ｄ’??５．４３ａ?聲??圖１．４單晶娃的晶體結(jié)構(gòu)??Ｆｉｇ．?１．４?Ｃｒｙｓｔａｌ?ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ?ｏｆ?ｍｏｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ?ｓｉｌｉｃｏｎ??－４－??

?大連理工大學(xué)博士學(xué)位論文???被加工零件的表面完整性、強(qiáng)度和壽命影響小，殘余應(yīng)力主要是由于亞表面裂紋引起的；??所以殘余應(yīng)力、相變層和位錯(cuò)等不被視為亞表面損傷。因此，本文所研宄的單晶硅磨削??亞表面損傷主要指亞表面裂紋。??

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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博士論文
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[5]光學(xué)材料加工亞表面損傷檢測(cè)及控制關(guān)鍵技術(shù)研究[D]. 王卓.國(guó)防科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2008
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碩士論文
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[3]光學(xué)表面亞表層損傷檢測(cè)技術(shù)研究[D]. 王春慧.西安工業(yè)大學(xué) 2010
[4]近紅外激光雷達(dá)目標(biāo)后向散射特性實(shí)驗(yàn)研究[D]. 胡新權(quán).南京理工大學(xué) 2008



本文編號(hào)：2963546