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超聲技術(shù)制備PANI/CNTs/NiO復合材料及其電容性能

發(fā)布時間:2024-07-10 23:17
  采用超聲技術(shù)以對甲苯磺酸為摻雜劑,過硫酸銨為氧化劑制備PANI/NiO/CNTs三元復合材料。采用掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線衍射(XRD)和傅里葉變換紅外光譜(FTIR)對材料的表面形貌和結(jié)構(gòu)組成進行表征,通過循環(huán)伏安、恒流充放電及交流阻抗測試對電極材料的電化學電容性能進行研究。結(jié)果表明:PANI/NiO/CNTs三元復合材料改善了NiO電極材料的充放電可逆性和電容性。當質(zhì)量比為m(PANI)∶m(NiO)∶m(CNTs)=80.5∶19.5∶2.7時,具有良好的充放電可逆性,在2 mol/L的KOH溶液中,以1.65 A/g電流密度放電時,比電容可達156 F/g

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本文編號:4004885

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