發(fā)布時(shí)間：2018-10-25 10:35

【摘要】：相同測試條件下,納米鈦氧化物憶阻器的導(dǎo)電過程存在不穩(wěn)定性,制約了對器件瞬態(tài)阻抗的精確讀取與控制,并影響了器件應(yīng)用于電路設(shè)計(jì)的可靠性與穩(wěn)定性.雜質(zhì)漂移與隧道勢壘的共存是導(dǎo)致上述不穩(wěn)定性的可能因素,且雜質(zhì)漂移特性與環(huán)境溫度密切相關(guān).然而,目前尚無通過控制溫度提高憶阻器導(dǎo)電穩(wěn)定性的具體研究.基于雜質(zhì)漂移與隧道勢壘共存,本文分析了溫度與憶阻器導(dǎo)電特性的關(guān)聯(lián),研究了器件活躍區(qū)域厚度及初始摻雜層厚度的改變對臨界溫度的影響,利用SPICE軟件進(jìn)行了仿真驗(yàn)證并給出結(jié)果,得出提高憶阻器導(dǎo)電穩(wěn)定性的方法有:增大活躍區(qū)域厚度、降低初始雜質(zhì)濃度及保持環(huán)境溫度穩(wěn)定且低于臨界溫度,從而為制備性能穩(wěn)定的憶阻器及推動(dòng)器件在實(shí)際電路中的應(yīng)用提供依據(jù).
[Abstract]:Under the same test conditions, there is instability in the conductive process of the nanocrystalline titanium oxide resistor, which restricts the accurate reading and control of the transient impedance of the device, and affects the reliability and stability of the device used in the circuit design. The coexistence of impurity drift and tunnel barrier is the possible factor leading to the instability, and the impurity drift characteristic is closely related to the ambient temperature. However, there is no specific research on improving the conductive stability of the resistor by controlling the temperature. Based on the coexistence of impurity drift and tunnel barrier, the correlation between the temperature and the electrical conductivity of the device is analyzed, and the influence of the thickness of the active region of the device and the thickness of the initial doping layer on the critical temperature is studied. The simulation results are given by using SPICE software. The methods to improve the conductive stability of the resistor are as follows: increasing the thickness of active region, reducing the initial impurity concentration and keeping the ambient temperature stable and lower than the critical temperature. Thus, it provides the basis for the preparation of stable resistor and the application of propulsive devices in practical circuits.
【作者單位】： 國防科學(xué)與技術(shù)大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號(hào):61171017,F010505)資助的課題~~
【分類號(hào)】：TM54

【參考文獻(xiàn)】

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1 包伯成;劉中;許建平;;憶阻混沌振蕩器的動(dòng)力學(xué)分析[J];物理學(xué)報(bào);2010年06期

2 李智煒;劉海軍;徐欣;;憶阻逾滲導(dǎo)電模型中的初態(tài)影響[J];物理學(xué)報(bào);2013年09期

3 田曉波;徐暉;李清江;;橫截面積參數(shù)對鈦氧化物憶阻器導(dǎo)電特性的影響[J];物理學(xué)報(bào);2014年04期

【共引文獻(xiàn)】

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1 王光義;王春雷;陳維;譚德;;一個(gè)磁控憶阻器混沌電路及其FPGA實(shí)現(xiàn)[J];電路與系統(tǒng)學(xué)報(bào);2011年06期

2 王樂毅;;憶阻器研究進(jìn)展及應(yīng)用前景[J];電子元件與材料;2010年12期

3 何寶祥;包伯成;;憶阻器網(wǎng)絡(luò)等效分析電路及其特性研究[J];電子與信息學(xué)報(bào);2012年05期

4 李志軍;曾以成;;基于文氏振蕩器的憶阻混沌電路[J];電子與信息學(xué)報(bào);2014年01期

5 包伯成;史國棟;許建平;劉中;潘賽虎;;含兩個(gè)憶阻器混沌電路的動(dòng)力學(xué)分析[J];中國科學(xué):技術(shù)科學(xué);2011年08期

6 王小平;沈軼;吳計(jì)生;孫軍偉;李薇;;憶阻及其應(yīng)用研究綜述[J];自動(dòng)化學(xué)報(bào);2013年08期

7 趙沛;張衛(wèi);王小良;何振宇;;含磁控憶阻器阻尼特性電路的混沌特性分析[J];科學(xué)技術(shù)與工程;2013年28期

8 吳才川;劉斌;謝自力;修向前;陳鵬;韓平;張榮;孔月嬋;陳辰;;新型電極材料石墨烯在LED中的應(yīng)用[J];激光與光電子學(xué)進(jìn)展;2013年08期

9 彭存建;王光義;王偉;;基于TiO_2憶阻器的混沌振蕩電路[J];杭州電子科技大學(xué)學(xué)報(bào);2014年02期

10 武花干;包伯成;馮霏;;簡單記憶混沌系統(tǒng)的動(dòng)力學(xué)分析與電路實(shí)現(xiàn)[J];四川大學(xué)學(xué)報(bào)(工程科學(xué)版);2014年01期

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3 張瑋;過渡金屬氧化物壓力行為和缺陷問題的第一性原理研究[D];南京師范大學(xué);2013年

4 王中強(qiáng);金屬氧化物憶阻器件的制備及其阻變存儲(chǔ)、神經(jīng)突觸仿生研究[D];東北師范大學(xué);2013年

5 蔣興莉;氧化物異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的電阻開關(guān)效應(yīng)研究[D];清華大學(xué);2013年

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2 馮昌浩;雙擴(kuò)展憶阻器納米結(jié)構(gòu)模型與特性研究[D];黑龍江大學(xué);2012年

3 吳迪;憶阻器建模和蔡氏混沌電路的研究[D];沈陽工業(yè)大學(xué);2013年

4 阮玉南（NGUYEN NGOC NAM）;基于憶阻器的混沌電路與邏輯運(yùn)算[D];西南大學(xué);2013年

5 何朋飛;憶阻器件建模與特性分析及應(yīng)用[D];西南大學(xué);2013年

6 方清;基于憶阻器的混沌電路設(shè)計(jì)[D];湘潭大學(xué);2013年

7 李程;基于記憶元件的混沌電路研究[D];浙江師范大學(xué);2013年

8 孫甲;高活性銳鈦礦二氧化鈦的制備及其光催化研究[D];揚(yáng)州大學(xué);2013年

【二級(jí)參考文獻(xiàn)】

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1 包伯成;劉中;許建平;;憶阻混沌振蕩器的動(dòng)力學(xué)分析[J];物理學(xué)報(bào);2010年06期

2 包伯成;胡文;許建平;劉中;鄒凌;;憶阻混沌電路的分析與實(shí)現(xiàn)[J];物理學(xué)報(bào);2011年12期

3 宋德華;呂夢菲;任翔;李萌萌;俎云霄;;憶阻電路的基本性質(zhì)及其應(yīng)用[J];物理學(xué)報(bào);2012年11期

4 賈林楠;黃安平;鄭曉虎;肖志松;王玫;;界面效應(yīng)調(diào)制憶阻器研究進(jìn)展[J];物理學(xué)報(bào);2012年21期

5 李智煒;劉海軍;徐欣;;憶阻逾滲導(dǎo)電模型中的初態(tài)影響[J];物理學(xué)報(bào);2013年09期

【相似文獻(xiàn)】

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2 Ralph Raiola;;憶阻器的應(yīng)用——電子學(xué)最新電路元件的前景評析[J];今日電子;2008年11期

3 ;電路世界有了第四種基本元件[J];科技與出版;2008年08期

4 傅耘;溫度試驗(yàn)中產(chǎn)品溫度穩(wěn)定的研究[J];環(huán)境技術(shù);2001年03期

5 劉露;;記憶的“守護(hù)神”[J];百科知識(shí);2009年08期

6 ;惠普展示首個(gè)憶阻器半導(dǎo)體混合電路[J];電子產(chǎn)品可靠性與環(huán)境試驗(yàn);2008年06期

7 王國權(quán);劉亮;;憶阻器應(yīng)用于人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的前景與展望[J];中國新技術(shù)新產(chǎn)品;2009年06期

8 張榮芬;鄧朝勇;傅興華;;可記憶電阻器及其應(yīng)用展望綜述[J];計(jì)算機(jī)工程與科學(xué);2011年02期

9 徐國葆;非散熱試樣的溫度穩(wěn)定問題[J];環(huán)境技術(shù);1983年05期

10 王樂毅;;憶阻器研究進(jìn)展及應(yīng)用前景[J];電子元件與材料;2010年12期

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1 蔡坤鵬;李勃;周濟(jì);;第四種無源元件——憶阻器的概念、原理與應(yīng)用[A];中國電子學(xué)會(huì)第十六屆電子元件學(xué)術(shù)年會(huì)論文集[C];2010年

2 婁國煥;王嘉偉;田晴;;燒結(jié)豎爐串級(jí)溫度智能控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[A];2008全國第十三屆自動(dòng)化應(yīng)用技術(shù)學(xué)術(shù)交流會(huì)論文集[C];2008年

3 婁國煥;王嘉偉;田晴;;燒結(jié)豎爐串級(jí)溫度智能控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)[A];中國計(jì)量協(xié)會(huì)冶金分會(huì)2008年會(huì)論文集[C];2008年

4 張成明;;燕京《德納福》DG1800E型故障二例[A];中華醫(yī)學(xué)會(huì)醫(yī)學(xué)工程學(xué)分會(huì)第四次學(xué)術(shù)年會(huì)浙江醫(yī)學(xué)會(huì)醫(yī)學(xué)工程分會(huì)98年學(xué)術(shù)年會(huì)論文集[C];1998年

5 趙文飛;呂軍;閆慶軍;陳佐偉;盧惠;鄭溪園;;SPECT的日常維護(hù)與保養(yǎng)[A];第二屆全國核素顯像及治療學(xué)術(shù)會(huì)議論文摘要匯編[C];2004年

6 馬有魁;;SSQ-1型電腦控溫箱可靠性、安全性的設(shè)計(jì)[A];中華醫(yī)學(xué)會(huì)醫(yī)學(xué)工程學(xué)分會(huì)第四次學(xué)術(shù)年會(huì)浙江醫(yī)學(xué)會(huì)醫(yī)學(xué)工程分會(huì)98年學(xué)術(shù)年會(huì)論文集[C];1998年

7 趙軍衛(wèi);吳勇;陳紹武;劉福華;;一種實(shí)用的連續(xù)泵浦半導(dǎo)體激光器驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)[A];中國光學(xué)學(xué)會(huì)2006年學(xué)術(shù)大會(huì)論文摘要集[C];2006年

8 毛斌;蔣桃仙;陶金明;;中間罐碟形通道感應(yīng)加熱裝置[A];2008年不銹鋼連鑄技術(shù)交流會(huì)論文集[C];2008年

9 趙萬明;;高溫箱控制器PID最佳值的調(diào)整[A];’2001天津信息技術(shù)、電子、儀器儀表學(xué)術(shù)會(huì)議論文集[C];2001年

10 魏華兵;廖冬生;錢曉山;黃美英;;赤壁市大西洋馬鈴薯引種的氣候條件適應(yīng)性分析[A];馬鈴薯產(chǎn)業(yè)與糧食安全（2009）[C];2009年

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1 劉霞;新研究厘清憶阻器工作時(shí)的內(nèi)部變化[N];科技日報(bào);2011年

2 馮衛(wèi)東;美研制出納米級(jí)憶阻器芯片[N];科技日報(bào);2009年

3 王小龍;美制成與大腦突觸類似的憶阻器電路[N];科技日報(bào);2010年

4 劉霞;惠普在憶阻器設(shè)計(jì)上再次取得重大突破[N];科技日報(bào);2010年

5 本報(bào)記者 劉霞;盤點(diǎn)可能改變科學(xué)面貌的50個(gè)想法[N];科技日報(bào);2010年

6 本報(bào)記者 劉學(xué)習(xí);下一代技術(shù):憶阻器與可卷曲的顯示器[N];計(jì)算機(jī)世界;2009年

7 本報(bào)記者 劉霞;摩爾定律“寶刀不老”[N];科技日報(bào);2010年

8 劉霞;美科學(xué)家模擬貓腦結(jié)構(gòu)研發(fā)新型計(jì)算機(jī)[N];科技日報(bào);2010年

9 記者 張愛虎邋通訊員 魯國梁;蔬菜：搶收保溫除濕補(bǔ)種[N];湖北日報(bào);2008年

10 記者　甄俊華 特約記者 張哲;可降低施工成本的管線海水試壓技術(shù)[N];中國石油報(bào);2006年

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1 李海濤;氧化物薄膜憶阻器的材料選擇與行為機(jī)制研究[D];南京大學(xué);2011年

2 王中強(qiáng);金屬氧化物憶阻器件的制備及其阻變存儲(chǔ)、神經(jīng)突觸仿生研究[D];東北師范大學(xué);2013年

3 蔡坤鵬;無機(jī)塊體憶阻器材料的制備、結(jié)構(gòu)及其電學(xué)性質(zhì)研究[D];清華大學(xué);2013年

4 溫世平;憶阻電路系統(tǒng)的建模與控制[D];華中科技大學(xué);2013年

5 包伯成;混沌動(dòng)力學(xué)系統(tǒng)延拓與分析[D];南京理工大學(xué);2010年

6 王冠;耦合動(dòng)力系統(tǒng)的同步控制研究[D];華中科技大學(xué);2013年

7 孫獻(xiàn)文;SrTiO_3基阻變存儲(chǔ)器的制備和性能研究[D];河南大學(xué);2012年

8 邢素霞;非制冷紅外熱成像系統(tǒng)研究[D];南京理工大學(xué);2005年

9 彭堂超;磁控濺射制備NiO、TiO_2和ZnO薄膜及其物性研究[D];武漢大學(xué);2011年

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1 張娜;基于憶阻器的加法器和乘法器高效設(shè)計(jì)與模擬[D];國防科學(xué)技術(shù)大學(xué);2011年

2 胡舒凱;面向數(shù)據(jù)庫應(yīng)用的憶阻器存儲(chǔ)器技術(shù)[D];國防科學(xué)技術(shù)大學(xué);2011年

3 蔣坤;憶阻器件動(dòng)力學(xué)行為研究[D];南京大學(xué);2012年

4 馮昌浩;雙擴(kuò)展憶阻器納米結(jié)構(gòu)模型與特性研究[D];黑龍江大學(xué);2012年

5 胡小方;基于憶阻器的非易失性存儲(chǔ)器研究[D];西南大學(xué);2012年

6 朱平平;基于憶阻器的邏輯門實(shí)現(xiàn)[D];武漢科技大學(xué);2012年

7 段宗勝;基于憶阻器的濾波器設(shè)計(jì)與仿真[D];武漢科技大學(xué);2012年

8 孫礪;基于憶阻器的圖像存儲(chǔ)與優(yōu)化研究[D];華中科技大學(xué);2012年

9 張文姝;基于憶阻器的混沌建模研究[D];電子科技大學(xué);2013年

10 俞周芳;基于憶阻器的可編程模擬電路設(shè)計(jì)[D];浙江師范大學(xué);2013年

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本文編號(hào)：2293460