發(fā)布時間：2018-12-11 09:12

【摘要】：為研究量子點(diǎn)發(fā)光器件結(jié)構(gòu)與性能的關(guān)系,制備了以CdSe/ZnS量子點(diǎn)作為發(fā)光層、poly-TPD作為空穴傳輸層,Alq_3作為電子傳輸層的量子點(diǎn)發(fā)光二極管,對器件結(jié)構(gòu)及性能參數(shù)進(jìn)行了表征,結(jié)果顯示器件具有開啟電壓低、色純度高等特點(diǎn)。結(jié)合測試數(shù)據(jù),對量子點(diǎn)發(fā)光二極管進(jìn)行了器件結(jié)構(gòu)建模,利用隧穿模型及空間電荷限制電流模型對實(shí)驗(yàn)結(jié)果進(jìn)行了分析,研究了器件中載流子的注入與傳輸機(jī)理。器件測試與仿真結(jié)果表明:各功能層厚度會影響載流子在量子點(diǎn)層的注入平衡,同時器件中載流子的注入與傳輸存在一轉(zhuǎn)變電壓,當(dāng)外加電壓低于轉(zhuǎn)變電壓時,器件中載流子的注入主要符合隧穿模型;當(dāng)外加電壓高于轉(zhuǎn)變電壓時,器件中載流子的注入主要符合空間電荷限制電流模型。研究結(jié)果驗(yàn)證了器件結(jié)構(gòu)建模的合理性,可以利用仿真的方法進(jìn)行器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化并確定相關(guān)參數(shù),這對器件性能的提高具有指導(dǎo)意義。
[Abstract]:In order to study the relationship between the structure and properties of quantum dot luminescent devices, a quantum dot light-emitting diode with CdSe/ZnS quantum dot as luminescent layer, poly-TPD as hole transport layer and Alq_3 as electron transport layer was prepared. The structure and performance parameters of the device are characterized. The results show that the device has the characteristics of low turn-on voltage and high color purity. Based on the measured data, the device structure of QDs is modeled. The experimental results are analyzed by tunneling model and space charge-limited current model, and the mechanism of carrier injection and transmission in the device is studied. The results of device test and simulation show that the thickness of each functional layer will affect the equilibrium of carrier injection in the quantum dot layer. At the same time, the carrier injection and transmission in the device have a transition voltage, when the applied voltage is lower than the transition voltage, The carrier injection in the device is mainly in accordance with the tunneling model. When the applied voltage is higher than the transition voltage, the carrier injection in the device mainly accords with the space charge-limited current model. The research results verify the rationality of the device structure modeling. The simulation method can be used to optimize the device structure and determine the relevant parameters, which has a guiding significance for the improvement of device performance.
【作者單位】： 北京信息科技大學(xué)自動化學(xué)院;北京交通大學(xué)電子信息工程學(xué)院;
【基金】：北京市自然基金項(xiàng)目(4122028) 北京市重點(diǎn)學(xué)科建設(shè)項(xiàng)目(PXM2014-014224-000018) 北京市研究生聯(lián)合培養(yǎng)基地建設(shè)項(xiàng)目(71C1411017)
【分類號】：TN312.8

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本文編號：2372287