基于InGaAs/InP雪崩二極管的單光子探測及其噪聲分析
【文章頁數(shù)】:55 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
圖1-1光電倍增管簡單原理圖
圖1-1光電倍增管簡單原理圖從圖1-1中我們可以看出,光電倍增管主要由三部分組成,分別是光電陰極、光電倍增極和光電陽極也稱為收集極。光電陰極是對光子有光敏性的玻璃或者石英。當(dāng)光子入射到光電倍增管的光電陰極時,會發(fā)生光電效應(yīng)并產(chǎn)生光生電子,隨后釋放的電子在光電倍增極之間的電場中被加....
圖1-3雪崩二極管簡單原理圖
崩,如圖1-3所示。ELECTRICFIELDSTRENGTHEELECTRICFIELD 1 PNJUNCTION @00?O00e?GG? I\/\/\/AVALANCHE05?¢00@?3REGION 少 \ ,Z0?丨/....
圖1-4,其中圖a由Haitz等人提出的p-n結(jié)二極管的平面剖圖,圖b是Mclntyre和Webb提出的穿越雪崩二極管(reach-throughavalanchediode)結(jié)構(gòu)的平面剖圖
其中圖a由Haitz等人提出的p-n結(jié)二極管的平面剖圖,圖b是Mclntyre和Webb提出的穿越雪崩二極管(reach-throughavalanchediode)結(jié)構(gòu)的平面剖圖。(圖來源122])1.2.3.2鍺型雪崩二極管(Ge-SPAD)當(dāng)在超過1.1的波段進行光子....
圖2-3雪崩二極管的I-V曲線
當(dāng)雪崩被探測后,必須通過將雪崩二極管的偏置電壓降到其雪崩擊Km之下來粹滅雪崩過程。而當(dāng)雪崩被粹滅后,二極管的偏置電壓必須被高于雪崩擊穿電壓,這樣SAPD才能正確及時地探測下一個到來的光子。雪崩開始到二極管電壓重置完成的這段時間,SPAD對于到來的光子是無應(yīng)的,并不能產(chǎn)生正確的探測....
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