發(fā)布時(shí)間：2018-12-11 21:43

【摘要】：絕緣柵雙極型晶體管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)模塊是風(fēng)電轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中最為薄弱的環(huán)節(jié)之一,其準(zhǔn)確的壽命和可靠性評(píng)估對(duì)風(fēng)電系統(tǒng)安全運(yùn)行尤其重要。然而,目前IGBT模塊壽命評(píng)估模型主要采用基于數(shù)據(jù)手冊(cè)的瞬態(tài)熱阻曲線(xiàn)或者試驗(yàn)測(cè)試初始結(jié)果的熱模型,并未考慮IGBT模塊老化過(guò)程對(duì)熱參數(shù)的影響。該文提出考慮老化進(jìn)程對(duì)熱參數(shù)影響的IGBT模塊壽命評(píng)估模型,該模型能夠計(jì)及老化過(guò)程中因熱參數(shù)增大而帶來(lái)的熱載荷上升和壽命減小,提高了壽命評(píng)估的準(zhǔn)確性。首先,理論和試驗(yàn)分析了老化進(jìn)程對(duì)熱參數(shù)的影響規(guī)律,提出了考慮老化進(jìn)程影響的IGBT模塊壽命評(píng)估模型;其次,對(duì)比分析了該模型與現(xiàn)有常用壽命模型之間的差異;最后以實(shí)際風(fēng)電場(chǎng)為例,進(jìn)一步分析了不同時(shí)間尺度下考慮老化影響的模塊壽命消耗。
[Abstract]:The insulated gate bipolar transistor (insulated gate bipolar transistor,IGBT) module is one of the weakest links in the wind power conversion system, and its accurate life and reliability evaluation is particularly important for the safe operation of the wind power system. However, the current IGBT module life evaluation model mainly uses the transient thermal resistance curve based on the data manual or the thermal model of the initial test results, and does not consider the influence of the aging process of the IGBT module on the thermal parameters. In this paper, a life evaluation model of IGBT module considering the influence of aging process on thermal parameters is proposed. The model can take into account the increase of thermal load and the decrease of life due to the increase of thermal parameters during aging, and improve the accuracy of life evaluation. Firstly, the influence of aging process on thermal parameters is analyzed theoretically and experimentally, and the life evaluation model of IGBT module considering the influence of aging process is put forward, secondly, the difference between this model and existing life models is compared and analyzed. Finally, taking the actual wind farm as an example, the module life consumption considering the influence of aging in different time scales is further analyzed.
【作者單位】： 輸配電裝備及系統(tǒng)安全與新技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室(重慶大學(xué));
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(51477019) 國(guó)家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展計(jì)劃項(xiàng)目(973項(xiàng)目)(2012CB25200) 中央高�；�本科研業(yè)務(wù)費(fèi)項(xiàng)目(106112015CDJXY150004)~~
【分類(lèi)號(hào)】：TN322.8

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 M.Buschkühle;C.Messelke;;IGBT模塊的并聯(lián)從最壞情況模擬到完全統(tǒng)計(jì)方法[J];電子產(chǎn)品世界;2008年09期

2 N.沃馬羅;M.奧蘇基;Y.霍希;S.約希沃塔里;T.米耶塞凱;Y.西基;花蕾;;1200V和1700V新型IGBT模塊溝槽及電場(chǎng)截止型IGBT低注入續(xù)流二極管[J];電力電子;2004年04期

3 Jussi Karttunen;Samuli Kallio;Pertti Silventoinen;鄭鵬洲;;多芯片IGBT模塊實(shí)時(shí)熱模型的應(yīng)用[J];電力電子;2012年04期

4 江興;;IGBT芯片和IGBT模塊封裝技術(shù)全面蓬勃發(fā)展[J];半導(dǎo)體信息;2012年02期

5 喬冠梁;丁遠(yuǎn)翔;丁學(xué)文;;IGBT模塊的一種驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)[J];國(guó)外電子元器件;2007年10期

6 湯姆·亞當(dāng)斯;;IGBT模塊焊錫厚度均勻性的檢測(cè)[J];電力電子;2013年02期

7 孫國(guó)印;IGBT模塊應(yīng)用中過(guò)電壓的抑制[J];電力電子技術(shù);2002年04期

8 宮崎裕二;村\『陫;日吉道明;;適合中高頻應(yīng)用的NFM系列IGBT模塊[J];電力電子技術(shù);2006年04期

9 翟超;郭清;盛況;;IGBT模塊封裝熱應(yīng)力研究[J];機(jī)電工程;2013年09期

10 吳武臣,張華,董利民,Ｍ．Ｈｅｌｄ,Ｐ．Ｓｃａｃｃｏ,Ｐ．Ｊａｃｏｂ;大功率半橋IGBT模塊的鎖定效應(yīng)研究[J];半導(dǎo)體技術(shù);1997年06期

相關(guān)會(huì)議論文 前2條

1 劉蕩波;;IGBT模塊及其應(yīng)用[A];中國(guó)電工技術(shù)學(xué)會(huì)電力電子學(xué)會(huì)第八屆學(xué)術(shù)年會(huì)論文集[C];2002年

2 劉蕩波;張立;張歧寧;王曉寶;;IGBT模塊及其應(yīng)用[A];展望新世紀(jì)——’02學(xué)術(shù)年會(huì)論文集[C];2002年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前2條

1 秦星;風(fēng)電變流器IGBT模塊結(jié)溫計(jì)算及功率循環(huán)能力評(píng)估[D];重慶大學(xué);2014年

2 王彥剛;IGBT模塊熱行為及可靠性研究[D];北京工業(yè)大學(xué);2000年

，

本文編號(hào)：2373270