發(fā)布時間：2018-12-15 08:31

【摘要】：GaN材料在高頻、高功率、高溫、高密度集成電子器件等領(lǐng)域具有廣闊的應用前景,是全球半導體領(lǐng)域研究的前沿和熱點。近幾年,對低接觸電阻率的金屬/GaN歐姆接觸的研究取得了巨大進步,但金屬/GaN歐姆接觸仍是制約GaN器件發(fā)展的重要因素之一,激光技術(shù)的引進為金屬/GaN歐姆接觸的實現(xiàn)提供了新方法。總結(jié)了激光輻照改善GaN材料歐姆特性的研究,介紹了準分子激光輻照對GaN材料空穴濃度的改變及其歐姆接觸特性改善機理的研究進展,討論了激光輻照GaN獲得低歐姆接觸電阻率的方案,以便探究獲得更優(yōu)良金屬/GaN歐姆接觸的研究方向。
[Abstract]:GaN materials have a broad application prospect in high frequency, high power, high temperature, high density integrated electronic devices and so on. In recent years, great progress has been made in the study of metal / GaN ohmic contact with low contact resistivity, but metal / GaN ohmic contact is still one of the important factors restricting the development of GaN devices. The introduction of laser technology provides a new method for the realization of metal / GaN ohmic contact. The research on improving the ohmic properties of GaN materials by laser irradiation is summarized. The research progress on the change of hole concentration and ohmic contact characteristics of GaN materials induced by excimer laser irradiation is introduced. The scheme of obtaining low ohmic contact resistivity by laser irradiated GaN is discussed in order to explore the research direction of obtaining better metal / GaN ohmic contact.
【作者單位】： 中國科學技術(shù)大學環(huán)境科學與光電技術(shù)學院;中國科學院安徽光學精密機械研究所;
【基金】：脈沖功率激光技術(shù)國家重點實驗室開放研究基金資助項目,SKL2014KF03~~
【分類號】：TN304

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本文編號：2380342