激光輻照GaN改善其歐姆特性的研究進展
[Abstract]:GaN materials have a broad application prospect in high frequency, high power, high temperature, high density integrated electronic devices and so on. In recent years, great progress has been made in the study of metal / GaN ohmic contact with low contact resistivity, but metal / GaN ohmic contact is still one of the important factors restricting the development of GaN devices. The introduction of laser technology provides a new method for the realization of metal / GaN ohmic contact. The research on improving the ohmic properties of GaN materials by laser irradiation is summarized. The research progress on the change of hole concentration and ohmic contact characteristics of GaN materials induced by excimer laser irradiation is introduced. The scheme of obtaining low ohmic contact resistivity by laser irradiated GaN is discussed in order to explore the research direction of obtaining better metal / GaN ohmic contact.
【作者單位】: 中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)環(huán)境科學(xué)與光電技術(shù)學(xué)院;中國科學(xué)院安徽光學(xué)精密機械研究所;
【基金】:脈沖功率激光技術(shù)國家重點實驗室開放研究基金資助項目,SKL2014KF03~~
【分類號】:TN304
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,本文編號:2380342
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