發(fā)布時間：2018-12-21 12:39

【摘要】：介紹了GaSb單晶的制備方法,包括提拉(CZ)法、垂直布里奇曼(VB)法、水平布里奇曼(HB)法、垂直定向凝固(VDS)法和垂直梯度冷凝(VGF)法,總結(jié)了它們的優(yōu)缺點。研究結(jié)果表明,VB法、VDS法和VGF法更適合GaSb單晶的生長。進(jìn)一步介紹了三元合金GaInSb晶體生長工藝的研究進(jìn)展,微重力環(huán)境可以有效抑制晶體中In元素的成分偏析,提高晶體的均勻性。簡單介紹了GaSb單晶材料在器件制作方面的應(yīng)用,展望了GaInSb晶體材料的發(fā)展前景。
[Abstract]:The preparation methods of GaSb single crystals are introduced, including Czochralski method, vertical Bridgman (VB) method, horizontal Bridgman (HB) method, vertical directional solidification (VDS) method and vertical gradient condensation (VGF) method. Their advantages and disadvantages are summarized. The results show that VB method, VDS method and VGF method are more suitable for the growth of GaSb single crystal. The progress in the growth process of ternary alloy GaInSb crystal is further introduced. The microgravity environment can effectively restrain the segregation of In elements in the crystal and improve the homogeneity of the crystal. The application of GaSb single crystal material in device fabrication is briefly introduced, and the development prospect of GaInSb crystal material is prospected.
【作者單位】： 天津工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(50972085)
【分類號】：O782;TN304

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本文編號：2388921