發(fā)布時間：2024-06-07 19:26

　　硅片表面納米級污染顆粒的檢測與去除是集成電路制造(Integrated Circuit, IC)的關(guān)鍵環(huán)節(jié).本文主要對納秒級脈沖激光作用至硅片表面后納米顆粒的動力學(xué)過程及顆粒成分在線檢測方法進(jìn)行了研究.搭建了雙脈沖激光測量實驗系統(tǒng),并通過實驗對300 nm Cu顆粒進(jìn)行了雙脈沖激光實驗觀測,通過分析表征顆粒運動軌跡的擊穿光譜特征,從實驗上觀測到了清洗激光作用后顆粒沿垂直硅片表面向上的運動軌跡.在綜合考慮空氣碰撞阻力、顆粒重力的影響下,建立了激光清洗后顆粒的運動模型,并與實驗相結(jié)合求解了運動模型參數(shù),計算獲得了清洗激光作用后顆粒的初始速度和激光作用時間內(nèi)顆粒的平均加速度.本文為激光誘導(dǎo)晶圓表面納米顆粒去吸附以及激光至納米顆粒動力學(xué)過程研究提供了一種模型方法,也為集成電路污染源在線檢測提供了一種重要方法.

【文章頁數(shù)】：8 頁


本文編號：3990990