非均勻極化量子點(diǎn)中的電子自旋動(dòng)力學(xué)
【文章頁(yè)數(shù)】:131 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【部分圖文】:
圖1.2:二維電子氣Ga4s量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)示意圖/仏與GMs兩種半導(dǎo)體材料的交界面??
此外,還需要在量子點(diǎn)的周邊布置電極,用于測(cè)量通過(guò)量子點(diǎn)的電流,量子點(diǎn)??的電導(dǎo)率,以及量子點(diǎn)的電荷狀態(tài)等。量子點(diǎn)中典型的參數(shù)如表1.1所示。??如圖1.3A為雙量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)的掃描電鏡圖片。圖中的電極L與II分別控制左右量??子點(diǎn)中的勢(shì)阱深度,限制量子點(diǎn)形成的位置。此外,這兩個(gè)電極還....
圖1.3:量子點(diǎn)中的電荷分布與施加在左右電極上的電壓的關(guān)系/以/
節(jié)量子點(diǎn)中的勢(shì)阱深度,使得周圍二維電子氣化學(xué)勢(shì)的高度處于電子自旋塞曼能級(jí)之??間,從而使得電子的隧穿過(guò)程依賴于自旋狀態(tài),進(jìn)而通過(guò)測(cè)量電荷狀態(tài)推斷出自旋狀??態(tài),具體的實(shí)驗(yàn)過(guò)程如圖1.5所示。??對(duì)于使用自旋作為量子比特的體系來(lái)說(shuō),執(zhí)行量子計(jì)算的量子邏輯門操作,可以??等效為一系列....
圖1.4:雙量子點(diǎn)中電子自旋的能級(jí)結(jié)構(gòu)"7/
_______???h?1」L.........?-404?Vr?(mV)?-400??圖1.3:量子點(diǎn)中的電荷分布與施加在左右電極上的電壓的關(guān)系/以/。i圖為雙量予點(diǎn)的掃描電鏡??照片,其中電極i與i?分別控制左右量子點(diǎn)的勢(shì)阱深度,電極T用于控制電子在左右量子點(diǎn)之??間的隧穿強(qiáng)....
圖1.5:?jiǎn)瘟孔狱c(diǎn)中電子自旋態(tài)的測(cè)量AW
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本文編號(hào):4000434
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