發(fā)布時間：2024-06-04 03:46

　　以數(shù)字集成電路為基礎(chǔ)的各類微處理器和微控制器廣泛應(yīng)用于社會的各個行業(yè),處于信息采集和處理的中心位置。由于集成電路的基礎(chǔ)地位,其可靠性就成為了整個系統(tǒng)正常工作的重要因素,尤其是在航天和軍事應(yīng)用等方面。 當高能粒子入射半導體材料時,晶體管中的敏感區(qū)域會收集產(chǎn)生的電荷。如果收集的電荷足夠多,由此而產(chǎn)生的單粒子效應(yīng)會暫時改變節(jié)點的邏輯值,造成一個軟錯誤。隨著集成電路工藝的升級,軟錯誤已成為影響電路可靠性的主要因素。與存儲電路相比,邏輯電路的軟錯誤率一直處于相對較低的狀態(tài)。當工藝進入納米級之后,邏輯電路軟錯誤率迅速上升,有超越存儲電路的趨勢。 本文針對集成電路中的軟錯誤,介紹了軟錯誤的形成機理以及評估和加固方法,研究了邏輯電路中軟錯誤的產(chǎn)生過程和評估方法,提出了一種用于評估邏輯電路軟錯誤率的模型。 本文提出的邏輯電路軟錯誤率評估模型基于軟錯誤的產(chǎn)生過程,分析了誘發(fā)軟錯誤的瞬時脈沖的產(chǎn)生、傳播和捕獲三個階段,利用邏輯電路中固有的邏輯屏蔽效應(yīng)、電氣屏蔽效應(yīng)和窗口屏蔽效應(yīng)等現(xiàn)象來確定敏化路徑以加速計算。 本文提出的模型能夠從電路網(wǎng)表文件中獲取電路拓撲信息,能夠根據(jù)電路中邏輯門的尺寸信息來快速準確地計算...

【文章頁數(shù)】：73 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖1.1太陽風與地球磁場

圖1.1太陽風與地球磁場含粒子的能量分布從10MeV到10GeV，通量很高，達度以11年為周期，在太陽活動極大年（SolarMax），太陽風強度急劇增加，耀斑期間的通量可達109cm電路產(chǎn)生致命故障，甚至能夠干擾地面上電子系統(tǒng)的為兩種：一種是所謂的“持續(xù)太陽風....

圖1.2范艾倫帶

圖1.1太陽風與地球磁場含粒子的能量分布從10MeV到10GeV，通量很高，達度以11年為周期，在太陽活動極大年（SolarMax），太陽風強度急劇增加，耀斑期間的通量可達109cm電路產(chǎn)生致命故障，甚至能夠干擾地面上電子系統(tǒng)的為兩種：一種是所謂的“持續(xù)太陽風....

圖1.3大氣輻射環(huán)境雖然衰減之后的這些次級粒子的能量減小，但在大氣層中的粒子密度急劇增6-2-1

3×104cm-2s-1。外范艾倫帶包含能量小于數(shù)兆電子伏特的質(zhì)子和的電子，通量最高達1010cm-2s-1。陽耀斑期間，質(zhì)子的全方位注量率可能增加若干個量級。在范子的全方位注量率最高可達1014cm-2s-1，其能量大于4MeV，率也高達1010cm-2s-1，能量大....

圖1.4高能粒子入射晶體管

圖1.4高能粒子入射晶體管EU和SET發(fā)生的不同位置，可以將軟錯誤分為存儲單元內(nèi)的軟兩類。存儲單元內(nèi)的軟錯誤又叫做單粒子翻轉(zhuǎn)，而邏單粒子瞬態(tài)。單粒子翻轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)（SingleEventUpset，SEU）是指各種類型的存儲單元M單元、觸發(fā)器（Flip-Flop）和鎖存器（L....

本文編號：3988817