W摻雜VO 2 /AZO薄膜的制備與性能研究
發(fā)布時(shí)間:2025-01-01 10:12
二氧化釩(VO2)在68℃會(huì)發(fā)生半導(dǎo)體相-金屬相的可逆相變。伴隨著相變,VO2的光學(xué)、電學(xué)和磁學(xué)等性質(zhì)會(huì)發(fā)生突變。正是由于這一特性,VO2可以應(yīng)用于智能窗、激光防護(hù)、光電開關(guān)以及非制冷紅外探測(cè)器等方面。本文基于智能窗的應(yīng)用,研究了VO2薄膜的制備及其熱致變色性能。首先以金屬釩為靶材,采用直流反應(yīng)磁控濺射法在石英玻璃片上制備了V02薄膜,主要研究了不同氧氬流量比對(duì)氧化釩薄膜的物相結(jié)構(gòu)、表面形貌、釩的價(jià)態(tài)以及光學(xué)性能的影響。其次,制備了W摻雜V02薄膜,研究了W摻雜濃度對(duì)VO2薄膜晶體結(jié)構(gòu)、表面形貌、元素價(jià)態(tài)以及熱致變色性能的影響。最后,采用射頻磁控濺射法在石英玻璃和W摻雜VO2薄膜之間制備了AZO薄膜,研究了AZO膜層對(duì)VO2薄膜的物相結(jié)構(gòu)、表面形貌以及光學(xué)性能的影響。采用的測(cè)試分析方法有:XRD、SEM、XPS以及UV-VIS-NIR。主要結(jié)論如下:(1)直流反應(yīng)磁控濺射法制備了VO2薄膜。隨著氧氬流量比的升高,薄膜中釩的價(jià)態(tài)不斷升高,當(dāng)O2/Ar=4%時(shí),可以制備出純相的V02薄膜。在此條件下,V02薄膜的可見光積分透射率(Tlum)為48.25%,太陽光透過率調(diào)制能力(ATsol)為...
【文章頁(yè)數(shù)】:72 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
1.1 引言
1.2 VO2的基本性質(zhì)
1.2.1 VO2的晶體結(jié)構(gòu)與特性
1.2.2 VO2的相變機(jī)理
1.3 VO2薄膜的制備方法
1.3.1 溶膠-凝膠法
1.3.2 真空蒸鍍法
1.3.3 脈沖激光沉積法
1.3.4 磁控濺射法
1.4 VO2薄膜的應(yīng)用
1.4.1 智能窗
1.4.2 激光防護(hù)
1.4.3 光電開關(guān)
1.4.4 非制冷紅外探測(cè)器
1.4.5 光存儲(chǔ)材料
1.5 VO2薄膜光學(xué)性能改性研究
1.5.1 降低VO2薄膜相變溫度的方法
1.5.2 提高VO2薄膜光學(xué)性能的方法
1.6 本論文的研究?jī)?nèi)容及意義
1.6.1 研究意義
1.6.2 研究?jī)?nèi)容
第二章 實(shí)驗(yàn)與測(cè)試
2.1 實(shí)驗(yàn)材料
2.1.1 靶材的選擇
2.1.2 基片的清洗
2.2 實(shí)驗(yàn)儀器
2.2.1 超聲波清洗器
2.2.2 磁控濺射設(shè)備與工作原理
2.2.3 石英管式爐
2.3 實(shí)驗(yàn)方法
2.4 薄膜制備的工藝流程
2.5 表征方法
2.5.1 場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡
2.5.2 X射線衍射儀
2.5.3 X射線光電子能譜
2.5.4 紫外-可見-近紅外分光光度計(jì)
第三章 磁控濺射法制備VO2薄膜的結(jié)構(gòu)及其光學(xué)性能
3.1 研究背景
3.2 實(shí)驗(yàn)部分
3.2.1 氧化釩薄膜的制備
3.2.2 氧化釩薄膜的測(cè)試表征
3.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析
3.3.1 O2/Ar流量比對(duì)氧化釩薄膜結(jié)構(gòu)的影響
3.3.2 O2/Ar流量比對(duì)氧化釩薄膜表面形貌的影響
3.3.3 O2/Ar流量比對(duì)氧化釩薄膜價(jià)態(tài)的影響
3.3.4 VO2的相變溫度和光學(xué)性質(zhì)
3.4 本章小結(jié)
第四章 W摻雜濃度對(duì)VO2薄膜組織與性能的影響
4.1 研究背景
4.2 實(shí)驗(yàn)部分
4.2.1 W摻雜VO2薄膜的制備
4.2.2 W摻雜VO2薄膜的測(cè)試表征
4.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析
4.3.1 摻雜濃度
4.3.2 W摻雜對(duì)VO2薄膜結(jié)構(gòu)的影響
4.3.3 W摻雜對(duì)VO2薄膜表面形貌的影響
4.3.4 摻雜樣品的光學(xué)性質(zhì)和相變溫度
4.4 本章小結(jié)
第五章 W摻雜VO2/AZO復(fù)合薄膜的結(jié)構(gòu)及其光學(xué)性能
5.1 研究背景
5.2 實(shí)驗(yàn)部分
5.2.1 W摻雜VO2/AZO薄膜的制備
5.2.2 W摻雜VO2/AZO薄膜的測(cè)試表征
5.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析
5.3.1 濺射功率對(duì)AZO薄膜晶體結(jié)構(gòu)的影響
5.3.2 濺射功率對(duì)AZO薄膜表面形貌的影響
5.3.3 W摻雜VO2/AZO雙層薄膜的晶體結(jié)構(gòu)
5.3.4 W摻雜VO2/AZO雙層薄膜的表面形貌
5.3.5 W摻雜VO2/AZO雙層薄膜的光學(xué)性能
5.4 本章小結(jié)
第六章 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
發(fā)表論文和參加科研情況
致謝
本文編號(hào):4022440
【文章頁(yè)數(shù)】:72 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
1.1 引言
1.2 VO2的基本性質(zhì)
1.2.1 VO2的晶體結(jié)構(gòu)與特性
1.2.2 VO2的相變機(jī)理
1.3 VO2薄膜的制備方法
1.3.1 溶膠-凝膠法
1.3.2 真空蒸鍍法
1.3.3 脈沖激光沉積法
1.3.4 磁控濺射法
1.4 VO2薄膜的應(yīng)用
1.4.1 智能窗
1.4.2 激光防護(hù)
1.4.3 光電開關(guān)
1.4.4 非制冷紅外探測(cè)器
1.4.5 光存儲(chǔ)材料
1.5 VO2薄膜光學(xué)性能改性研究
1.5.1 降低VO2薄膜相變溫度的方法
1.5.2 提高VO2薄膜光學(xué)性能的方法
1.6 本論文的研究?jī)?nèi)容及意義
1.6.1 研究意義
1.6.2 研究?jī)?nèi)容
第二章 實(shí)驗(yàn)與測(cè)試
2.1 實(shí)驗(yàn)材料
2.1.1 靶材的選擇
2.1.2 基片的清洗
2.2 實(shí)驗(yàn)儀器
2.2.1 超聲波清洗器
2.2.2 磁控濺射設(shè)備與工作原理
2.2.3 石英管式爐
2.3 實(shí)驗(yàn)方法
2.4 薄膜制備的工藝流程
2.5 表征方法
2.5.1 場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡
2.5.2 X射線衍射儀
2.5.3 X射線光電子能譜
2.5.4 紫外-可見-近紅外分光光度計(jì)
第三章 磁控濺射法制備VO2薄膜的結(jié)構(gòu)及其光學(xué)性能
3.1 研究背景
3.2 實(shí)驗(yàn)部分
3.2.1 氧化釩薄膜的制備
3.2.2 氧化釩薄膜的測(cè)試表征
3.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析
3.3.1 O2/Ar流量比對(duì)氧化釩薄膜結(jié)構(gòu)的影響
3.3.2 O2/Ar流量比對(duì)氧化釩薄膜表面形貌的影響
3.3.3 O2/Ar流量比對(duì)氧化釩薄膜價(jià)態(tài)的影響
3.3.4 VO2的相變溫度和光學(xué)性質(zhì)
3.4 本章小結(jié)
第四章 W摻雜濃度對(duì)VO2薄膜組織與性能的影響
4.1 研究背景
4.2 實(shí)驗(yàn)部分
4.2.1 W摻雜VO2薄膜的制備
4.2.2 W摻雜VO2薄膜的測(cè)試表征
4.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析
4.3.1 摻雜濃度
4.3.2 W摻雜對(duì)VO2薄膜結(jié)構(gòu)的影響
4.3.3 W摻雜對(duì)VO2薄膜表面形貌的影響
4.3.4 摻雜樣品的光學(xué)性質(zhì)和相變溫度
4.4 本章小結(jié)
第五章 W摻雜VO2/AZO復(fù)合薄膜的結(jié)構(gòu)及其光學(xué)性能
5.1 研究背景
5.2 實(shí)驗(yàn)部分
5.2.1 W摻雜VO2/AZO薄膜的制備
5.2.2 W摻雜VO2/AZO薄膜的測(cè)試表征
5.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析
5.3.1 濺射功率對(duì)AZO薄膜晶體結(jié)構(gòu)的影響
5.3.2 濺射功率對(duì)AZO薄膜表面形貌的影響
5.3.3 W摻雜VO2/AZO雙層薄膜的晶體結(jié)構(gòu)
5.3.4 W摻雜VO2/AZO雙層薄膜的表面形貌
5.3.5 W摻雜VO2/AZO雙層薄膜的光學(xué)性能
5.4 本章小結(jié)
第六章 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
發(fā)表論文和參加科研情況
致謝
本文編號(hào):4022440
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