石墨烯/二氧化鈦納米復合材料的制備及其可見光降解有機污染物的研究
發(fā)布時間:2020-12-11 06:06
開發(fā)和利用太陽能來解決環(huán)境污染與能源危機問題,已經(jīng)成為當今世界所面臨的重要課題。半導體光催化技術作為一種新興的綠色技術,在解決環(huán)境問題方面,不僅能夠克服傳統(tǒng)方法的諸多缺點,還能有效地促進太陽能的利用。然而,目前半導體光催化技術的發(fā)展面臨諸多難題,主要有:第一,TiO2等傳統(tǒng)的半導體材料只能被紫外光驅(qū)動,對太陽能的利用率低;第二,光催化反應過程中光生電子和空穴的快速復合,光量子效率低;第三,半導體光催化劑難回收再利用,易造成二次污染。因此,研究開發(fā)具有可見光響應,且穩(wěn)定高效、易回收的光催化材料是光催化技術實現(xiàn)廣泛應用的關鍵。基于以上問題,本研究利用溶膠凝膠法、水熱法等方法制備催化活性高穩(wěn)定性好的石墨烯/二氧化鈦型復合光催化劑。主要的研究內(nèi)容和成果如下:1.采用“一鍋”水熱法成功制備出石墨烯/二氧化鈦(RGO-TiO2)和石墨烯/二氧化鈦/硫化鎘(RGO-TiO2-CdS)納米復合材料光催化劑,并考察了所得到樣品的形貌、晶相、光吸收性能以及光催化活性等。其中,RGO-TiO2由柔性薄片(RGO)和直徑為...
【文章來源】:東華大學上海市 211工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:71 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
石墨烯卷曲成零維的富勒烯、一維的碳納米管,堆疊成三維的石墨材料9Fig.1.1Graphenewerewrappedupinto0Dfullerene,rolledinto1Dnanotubesorstackedinto3Dgraphite9.
碩士學位論文 石墨烯/二氧化鈦納米復合材料的制備及其可見光降解有機污染長方法,它是一種借助氣相化學反應,將一種或幾種含有構(gòu)成薄膜、單質(zhì)氣體通入放置有基材的反應室,沉積在基體表面上形成固態(tài)藝技術。目前,該方法廣泛應用于石墨烯的制備,該方法能夠得到烯,其制備過程如圖 1.2 所示28。實際上就是將平面基底鎳金屬薄中,通入高溫可分解的前驅(qū)體氣體,然后再經(jīng)高溫退火使碳原子在積,最后用化學腐蝕法將基底層除去,從而可以得到獨立的石墨29以鎳為襯底,在甲烷,氫氣和氬氣的高溫混合氣體中,沉積歷分鐘,成功制備出了單層和少層的石墨烯片,除此之外還能夠?qū)⑵?SiO2/Si 襯底上。Zhu 等30人采用改良的制備方法,在沒有催化劑學氣相沉積法在不同種類的襯底上制備出平均厚度 1 nm,單層厚度石墨烯薄膜。此外,過渡金屬 Fe、Cu、Co、It、Pt 等都可作為基法制備石墨烯�;瘜W氣相沉積法制備的石墨烯品質(zhì)高,可控性強,制備過程相對復雜,設備昂貴,且制備的石墨烯的形貌和性能受到大,因此實現(xiàn)工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)仍然是一個極大的挑戰(zhàn)。
圖 1.3 還原氧化石墨烯制備化學轉(zhuǎn)化石墨烯31 1.3 Preparation of chemically converted graphene by reduction of graphene oxide315 石墨插層法墨插層法一般是在天然石墨層與層之間插入一些非碳質(zhì)的離子、原子、子團等形成的一種新的層狀化合物,主要的幾種石墨插層法如圖 1.4 所然而,該方法所制備出的石墨片層一般會存在片層比較厚,最小只能達米,可控性較差,所加入的物質(zhì)很難去除等問題,導致石墨片實際應用制。因此,該方法也難以大規(guī)模應用于工業(yè)生產(chǎn)。
本文編號:2910029
【文章來源】:東華大學上海市 211工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:71 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
石墨烯卷曲成零維的富勒烯、一維的碳納米管,堆疊成三維的石墨材料9Fig.1.1Graphenewerewrappedupinto0Dfullerene,rolledinto1Dnanotubesorstackedinto3Dgraphite9.
碩士學位論文 石墨烯/二氧化鈦納米復合材料的制備及其可見光降解有機污染長方法,它是一種借助氣相化學反應,將一種或幾種含有構(gòu)成薄膜、單質(zhì)氣體通入放置有基材的反應室,沉積在基體表面上形成固態(tài)藝技術。目前,該方法廣泛應用于石墨烯的制備,該方法能夠得到烯,其制備過程如圖 1.2 所示28。實際上就是將平面基底鎳金屬薄中,通入高溫可分解的前驅(qū)體氣體,然后再經(jīng)高溫退火使碳原子在積,最后用化學腐蝕法將基底層除去,從而可以得到獨立的石墨29以鎳為襯底,在甲烷,氫氣和氬氣的高溫混合氣體中,沉積歷分鐘,成功制備出了單層和少層的石墨烯片,除此之外還能夠?qū)⑵?SiO2/Si 襯底上。Zhu 等30人采用改良的制備方法,在沒有催化劑學氣相沉積法在不同種類的襯底上制備出平均厚度 1 nm,單層厚度石墨烯薄膜。此外,過渡金屬 Fe、Cu、Co、It、Pt 等都可作為基法制備石墨烯�;瘜W氣相沉積法制備的石墨烯品質(zhì)高,可控性強,制備過程相對復雜,設備昂貴,且制備的石墨烯的形貌和性能受到大,因此實現(xiàn)工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn)仍然是一個極大的挑戰(zhàn)。
圖 1.3 還原氧化石墨烯制備化學轉(zhuǎn)化石墨烯31 1.3 Preparation of chemically converted graphene by reduction of graphene oxide315 石墨插層法墨插層法一般是在天然石墨層與層之間插入一些非碳質(zhì)的離子、原子、子團等形成的一種新的層狀化合物,主要的幾種石墨插層法如圖 1.4 所然而,該方法所制備出的石墨片層一般會存在片層比較厚,最小只能達米,可控性較差,所加入的物質(zhì)很難去除等問題,導致石墨片實際應用制。因此,該方法也難以大規(guī)模應用于工業(yè)生產(chǎn)。
本文編號:2910029
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