金屬氘化物陰極真空弧放電特性
發(fā)布時(shí)間:2021-01-09 06:27
真空弧放電產(chǎn)生的離子種類多,離子電荷態(tài)高,而且引出離子流強(qiáng)大,所以廣泛應(yīng)用在鍍膜沉積、離子注入、強(qiáng)流離子加速器等領(lǐng)域。特別地,金屬氘化物陰極真空弧放電可以提供強(qiáng)流氘離子束,常用作密封中子管離子源,用來(lái)產(chǎn)生高產(chǎn)額中子,在石油探井、中子活化分析、無(wú)損檢測(cè)等領(lǐng)域有重要應(yīng)用。盡管真空弧放電在工業(yè)上應(yīng)用廣泛,而且研究已有一百多年的歷史了,但直到現(xiàn)在,真空弧放電過(guò)程還沒(méi)有被完全理解。而且研究人員的關(guān)注點(diǎn)基本都在金屬材料,對(duì)金屬氘化物這種特殊的電極研究甚少。金屬氘化物相比金屬電極來(lái)說(shuō),多了氘氣釋放和氘氣電離兩個(gè)過(guò)程,物理過(guò)程會(huì)更加復(fù)雜。本文針對(duì)金屬氘化物陰極真空弧放電現(xiàn)象,采用光學(xué)和電學(xué)等多種診斷方法,從實(shí)驗(yàn)上測(cè)量了陰極斑、氘氣釋放規(guī)律、等離子體參數(shù)和氘離子比例等特性。陰極斑是真空弧放電最典型的特點(diǎn),本文采用增強(qiáng)電荷耦合相機(jī)(ICCD)和電子掃描顯微鏡(SEM)兩種方法對(duì)金屬氘化物陰極真空弧放電產(chǎn)生的陰極斑進(jìn)行了研究。為了拍攝清晰,同時(shí)獲得大視場(chǎng),特地研發(fā)了一套放大鏡頭用來(lái)觀察陰極斑。ICCD相機(jī)最小分辨時(shí)間為2 ns,低于陰極斑壽命,所以可以獲得陰極斑演化過(guò)程。ICCD相機(jī)拍攝結(jié)果表明,在電極表面...
【文章來(lái)源】:中國(guó)工程物理研究院北京市
【文章頁(yè)數(shù)】:98 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【部分圖文】:
圖1.1陰極斑放電過(guò)程??對(duì)大多數(shù)金屬來(lái)說(shuō),真空弧放電弧壓僅幾十伏,弧流卻可到幾十千安
possible?potential?hump? ̄?kT??L^??/?anode?tall?burning??/?\oltage??—?cathode?fall???i??cathode?anode??圖1.2電極間電勢(shì)分布??陰極斑電流密度位于l〇4A/cm2?108A/cm2之間[|7-2|1。實(shí)際上,由于陰極斑尺寸很難??準(zhǔn)確測(cè)量,不同文獻(xiàn)之間的結(jié)果存在較大差異。這也是真空弧放電理論爭(zhēng)論的地方之一。??陰極斑承受這么高的功率密度,表面熔化成液體,在等離子體作用下形成蝕坑,如圖1.3??所示。在不同表面上,陰極斑有兩種分布:第一類陰極斑和第二類陰極斑第一類陰??極斑出現(xiàn)在非潔凈和粗糙表面,如表面含氧化物等電介質(zhì)殘留物、有大量微凸起等,這??時(shí)一般蝕坑直徑較小,而且相互獨(dú)立,同時(shí)移動(dòng)速度快(?104cm/s),陰極燒蝕少。第二??類陰極斑出現(xiàn)在潔凈和光滑表面,陰極斑移動(dòng)速度慢,相互疊加在一起,形成一個(gè)直徑??大的陰極斑(?幾十微米),這時(shí)陰極燒蝕大。單個(gè)陰極斑最大只能攜帶一定量的電流,??當(dāng)弧流大于串個(gè)陰極斑最大電流時(shí),陰極斑會(huì)分裂成多個(gè)陰極斑,同時(shí)在陰極表面上存??在[23】。??mm??⑷第一類陰極斑?⑴)第二類陰極斑??圖1.3不同種類陰極斑??陰極斑壽命有限,一般為兒十納秒|24]。當(dāng)陰極斑熄滅時(shí),等離子體密度降低,弧壓??增加,以維持放電的持續(xù)。當(dāng)陰極斑重燃后,等離子體密度增加,弧壓又開(kāi)始降低。隨??著陰極斑的熄滅和重燃,弧壓一直處于波動(dòng)狀態(tài)。特別是當(dāng)陰極斑位置發(fā)生突變時(shí),重??3??
possible?potential?hump? ̄?kT??L^??/?anode?tall?burning??/?\oltage??—?cathode?fall???i??cathode?anode??圖1.2電極間電勢(shì)分布??陰極斑電流密度位于l〇4A/cm2?108A/cm2之間[|7-2|1。實(shí)際上,由于陰極斑尺寸很難??準(zhǔn)確測(cè)量,不同文獻(xiàn)之間的結(jié)果存在較大差異。這也是真空弧放電理論爭(zhēng)論的地方之一。??陰極斑承受這么高的功率密度,表面熔化成液體,在等離子體作用下形成蝕坑,如圖1.3??所示。在不同表面上,陰極斑有兩種分布:第一類陰極斑和第二類陰極斑第一類陰??極斑出現(xiàn)在非潔凈和粗糙表面,如表面含氧化物等電介質(zhì)殘留物、有大量微凸起等,這??時(shí)一般蝕坑直徑較小,而且相互獨(dú)立,同時(shí)移動(dòng)速度快(?104cm/s),陰極燒蝕少。第二??類陰極斑出現(xiàn)在潔凈和光滑表面,陰極斑移動(dòng)速度慢,相互疊加在一起,形成一個(gè)直徑??大的陰極斑(?幾十微米),這時(shí)陰極燒蝕大。單個(gè)陰極斑最大只能攜帶一定量的電流,??當(dāng)弧流大于串個(gè)陰極斑最大電流時(shí),陰極斑會(huì)分裂成多個(gè)陰極斑,同時(shí)在陰極表面上存??在[23】。??mm??⑷第一類陰極斑?⑴)第二類陰極斑??圖1.3不同種類陰極斑??陰極斑壽命有限,一般為兒十納秒|24]。當(dāng)陰極斑熄滅時(shí),等離子體密度降低,弧壓??增加,以維持放電的持續(xù)。當(dāng)陰極斑重燃后,等離子體密度增加,弧壓又開(kāi)始降低。隨??著陰極斑的熄滅和重燃,弧壓一直處于波動(dòng)狀態(tài)。特別是當(dāng)陰極斑位置發(fā)生突變時(shí),重??3??
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]基于標(biāo)記中子方法檢測(cè)墻體爆炸物扣除本底方法[J]. 沈星,朱鵬飛,馬瑞,侯晶晶,楊柏棟,景士偉. 物理實(shí)驗(yàn). 2018(06)
[2]快中子伴隨α粒子成像技術(shù)在包裹爆炸物檢測(cè)中的應(yīng)用[J]. 王強(qiáng),王月,鄭玉來(lái). 同位素. 2018(01)
[3]MEVVA離子注入鐵鎳銀對(duì)DSSCs光電性能的影響[J]. 羅軍,沈曉楠,龐盼,廖斌,吳先映,張旭. 材料導(dǎo)報(bào). 2017(06)
[4]伴隨粒子法檢測(cè)隱藏爆炸物安檢儀研發(fā)[J]. 王新華,鄭普,安力,陽(yáng)劍,郭海萍,何鐵. 強(qiáng)激光與粒子束. 2014(05)
[5]MEVVA離子束技術(shù)的發(fā)展及應(yīng)用[J]. 吳先映,廖斌,張旭,李強(qiáng),彭建華,張薈星,張孝吉. 北京師范大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2014(02)
[6]100型MEVVA源注入機(jī)注入均勻性研究[J]. 李強(qiáng),吳先映,張薈星,劉安東,彭建華,王桂岳. 真空. 2007(01)
本文編號(hào):2966141
【文章來(lái)源】:中國(guó)工程物理研究院北京市
【文章頁(yè)數(shù)】:98 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【部分圖文】:
圖1.1陰極斑放電過(guò)程??對(duì)大多數(shù)金屬來(lái)說(shuō),真空弧放電弧壓僅幾十伏,弧流卻可到幾十千安
possible?potential?hump? ̄?kT??L^??/?anode?tall?burning??/?\oltage??—?cathode?fall???i??cathode?anode??圖1.2電極間電勢(shì)分布??陰極斑電流密度位于l〇4A/cm2?108A/cm2之間[|7-2|1。實(shí)際上,由于陰極斑尺寸很難??準(zhǔn)確測(cè)量,不同文獻(xiàn)之間的結(jié)果存在較大差異。這也是真空弧放電理論爭(zhēng)論的地方之一。??陰極斑承受這么高的功率密度,表面熔化成液體,在等離子體作用下形成蝕坑,如圖1.3??所示。在不同表面上,陰極斑有兩種分布:第一類陰極斑和第二類陰極斑第一類陰??極斑出現(xiàn)在非潔凈和粗糙表面,如表面含氧化物等電介質(zhì)殘留物、有大量微凸起等,這??時(shí)一般蝕坑直徑較小,而且相互獨(dú)立,同時(shí)移動(dòng)速度快(?104cm/s),陰極燒蝕少。第二??類陰極斑出現(xiàn)在潔凈和光滑表面,陰極斑移動(dòng)速度慢,相互疊加在一起,形成一個(gè)直徑??大的陰極斑(?幾十微米),這時(shí)陰極燒蝕大。單個(gè)陰極斑最大只能攜帶一定量的電流,??當(dāng)弧流大于串個(gè)陰極斑最大電流時(shí),陰極斑會(huì)分裂成多個(gè)陰極斑,同時(shí)在陰極表面上存??在[23】。??mm??⑷第一類陰極斑?⑴)第二類陰極斑??圖1.3不同種類陰極斑??陰極斑壽命有限,一般為兒十納秒|24]。當(dāng)陰極斑熄滅時(shí),等離子體密度降低,弧壓??增加,以維持放電的持續(xù)。當(dāng)陰極斑重燃后,等離子體密度增加,弧壓又開(kāi)始降低。隨??著陰極斑的熄滅和重燃,弧壓一直處于波動(dòng)狀態(tài)。特別是當(dāng)陰極斑位置發(fā)生突變時(shí),重??3??
possible?potential?hump? ̄?kT??L^??/?anode?tall?burning??/?\oltage??—?cathode?fall???i??cathode?anode??圖1.2電極間電勢(shì)分布??陰極斑電流密度位于l〇4A/cm2?108A/cm2之間[|7-2|1。實(shí)際上,由于陰極斑尺寸很難??準(zhǔn)確測(cè)量,不同文獻(xiàn)之間的結(jié)果存在較大差異。這也是真空弧放電理論爭(zhēng)論的地方之一。??陰極斑承受這么高的功率密度,表面熔化成液體,在等離子體作用下形成蝕坑,如圖1.3??所示。在不同表面上,陰極斑有兩種分布:第一類陰極斑和第二類陰極斑第一類陰??極斑出現(xiàn)在非潔凈和粗糙表面,如表面含氧化物等電介質(zhì)殘留物、有大量微凸起等,這??時(shí)一般蝕坑直徑較小,而且相互獨(dú)立,同時(shí)移動(dòng)速度快(?104cm/s),陰極燒蝕少。第二??類陰極斑出現(xiàn)在潔凈和光滑表面,陰極斑移動(dòng)速度慢,相互疊加在一起,形成一個(gè)直徑??大的陰極斑(?幾十微米),這時(shí)陰極燒蝕大。單個(gè)陰極斑最大只能攜帶一定量的電流,??當(dāng)弧流大于串個(gè)陰極斑最大電流時(shí),陰極斑會(huì)分裂成多個(gè)陰極斑,同時(shí)在陰極表面上存??在[23】。??mm??⑷第一類陰極斑?⑴)第二類陰極斑??圖1.3不同種類陰極斑??陰極斑壽命有限,一般為兒十納秒|24]。當(dāng)陰極斑熄滅時(shí),等離子體密度降低,弧壓??增加,以維持放電的持續(xù)。當(dāng)陰極斑重燃后,等離子體密度增加,弧壓又開(kāi)始降低。隨??著陰極斑的熄滅和重燃,弧壓一直處于波動(dòng)狀態(tài)。特別是當(dāng)陰極斑位置發(fā)生突變時(shí),重??3??
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]基于標(biāo)記中子方法檢測(cè)墻體爆炸物扣除本底方法[J]. 沈星,朱鵬飛,馬瑞,侯晶晶,楊柏棟,景士偉. 物理實(shí)驗(yàn). 2018(06)
[2]快中子伴隨α粒子成像技術(shù)在包裹爆炸物檢測(cè)中的應(yīng)用[J]. 王強(qiáng),王月,鄭玉來(lái). 同位素. 2018(01)
[3]MEVVA離子注入鐵鎳銀對(duì)DSSCs光電性能的影響[J]. 羅軍,沈曉楠,龐盼,廖斌,吳先映,張旭. 材料導(dǎo)報(bào). 2017(06)
[4]伴隨粒子法檢測(cè)隱藏爆炸物安檢儀研發(fā)[J]. 王新華,鄭普,安力,陽(yáng)劍,郭海萍,何鐵. 強(qiáng)激光與粒子束. 2014(05)
[5]MEVVA離子束技術(shù)的發(fā)展及應(yīng)用[J]. 吳先映,廖斌,張旭,李強(qiáng),彭建華,張薈星,張孝吉. 北京師范大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2014(02)
[6]100型MEVVA源注入機(jī)注入均勻性研究[J]. 李強(qiáng),吳先映,張薈星,劉安東,彭建華,王桂岳. 真空. 2007(01)
本文編號(hào):2966141
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