溝槽柵場終止型IGBT瞬態(tài)數(shù)學(xué)模型
[Abstract]:The groove gate field termination represents the latest structure of the insulated gate bipolar transistor (IGBT). Due to the large differences between the groove gate structure and the planar gate structure in the carrier transport in the base region and the calculation of the gate junction capacitance, it is inevitable that there will be a big deviation in the modeling method using the planar gate structure. Based on the analysis of the characteristics of the grooved gate field terminating IGBT structure and the model coordinate system, the basis is divided into two parts, PNP and PIN, considering the two-dimensional carrier effect. According to whether the groove gate of PIN can be covered by the depletion layer of PNP part, the calculation method of gate junction capacitance is analyzed, and a transient mathematical model of IGBT with groove gate field termination is proposed, and the simulation and experimental results are carried out.
【作者單位】： 海軍工程大學(xué)艦船綜合電力技術(shù)國防科技重點實驗室;
【基金】：國家自然科學(xué)基金重大項目(51490681);國家自然科學(xué)基金青年項目(51507185)資助 國家重點基礎(chǔ)研究發(fā)展計劃(973計劃)(2015CB251004)
【分類號】：TN322.8
【參考文獻】
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【共引文獻】
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，本文編號：2381105
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