發(fā)布時(shí)間：2020-12-14 03:38

　　近年來(lái),MgZnO寬禁帶半導(dǎo)體憑借其獨(dú)特的材料特性受到了研究人員的廣泛關(guān)注,是當(dāng)前光電子和光通信器件領(lǐng)域研究熱點(diǎn)之一。由于ZnO和MgZnO可以形成具有很高電子濃度和電子遷移率的二維電子氣（Two Dimensional Electron Gas,2DEG）,因此,在異質(zhì)結(jié)光電器件制備領(lǐng)域極具應(yīng)用潛力。目前為止,ZnO/MgZnO量子級(jí)聯(lián)探測(cè)器（Quantum Cascade Detector,QCD）由于具有高的探測(cè)率、低的暗電流以及噪聲得到了研究人員的關(guān)注,但是目前的研究還僅限于材料和工藝的改進(jìn),對(duì)于ZnO/MgZnO異質(zhì)結(jié)帶來(lái)的極化效應(yīng)對(duì)QCD的影響還有待探索。除此之外,噪聲對(duì)于探測(cè)器來(lái)說(shuō)也是關(guān)鍵的參數(shù)之一。因此,本文分別針對(duì)極化效應(yīng)對(duì)ZnO/MgZnO量子級(jí)聯(lián)探測(cè)器基本特性的影響以及其噪聲特性展開(kāi)了研究,具體工作內(nèi)容如下:1.根據(jù)理論分析,對(duì)ZnO/Mg_0.3Zn_0.7O量子級(jí)聯(lián)探測(cè)器進(jìn)行建模并研究其基本特性。QCD的每個(gè)周期都包含一個(gè)用于吸收光子的有源區(qū),即ZnO量子阱和一個(gè)用于完成電子輸運(yùn)的“聲子階梯”,總共由30個(gè)周期組成�；�于... 

【文章來(lái)源】：西安電子科技大學(xué)陜西省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁(yè)數(shù)】：79 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

MgZnO薄膜中Mg摩爾百分?jǐn)?shù)與其禁帶寬度的關(guān)系

圖 1.1 MgZnO 薄膜中 Mg 摩爾百分?jǐn)?shù)與其禁帶寬度的關(guān)系外，部分氧化物在擁有半導(dǎo)體特性的同時(shí)還具備了電子強(qiáng)關(guān)聯(lián)其中的代表之一。根據(jù) ZnO 的纖鋅礦結(jié)構(gòu)的特性：缺少反演有強(qiáng)極化效應(yīng)。通過(guò)查閱可知，ZnO 的自發(fā)極化系數(shù)為-0.057材料大一倍，自發(fā)極化電場(chǎng)極高為 106V/cm[24]。由于極化效應(yīng)能的影響，這種影響具體為由極化電場(chǎng)產(chǎn)生的面束縛電荷來(lái)調(diào)外，對(duì)于帶隙相差懸殊的 ZnO（3.37 eV）和 MgO（7.8 eV）于強(qiáng)大的能帶偏移出現(xiàn)于這兩種材料構(gòu)成的異質(zhì)結(jié)構(gòu)界面導(dǎo)帶下，ZnO/MgZnO 異質(zhì)結(jié)界面處具有 2DEG，且其量子局域化1013cm-2，這主要是因?yàn)闃O化誘導(dǎo)以及能帶偏移的作用導(dǎo)致的

1983 年，J. S. Smith報(bào)道[45]，1985 年，L. C. West 等導(dǎo)帶內(nèi)極大的偶極紅外躍遷，偶并且被稱(chēng)為量子阱包絡(luò)狀態(tài)轉(zhuǎn)變[4i 等人在 1987 年第一次制備了峰值aAs/AlxGa1-xAs 量子阱紅外探測(cè)器結(jié)構(gòu)進(jìn)行改善，制造出 B-C QWI中的第一激發(fā)態(tài)成為連續(xù)態(tài)。其主量子阱中激發(fā)到連續(xù)態(tài)上。為了ala 等研究人員制備了基于束縛-準(zhǔn)/AlxGa1-xAs 量子阱紅外光電探測(cè)器并展示了截止波長(zhǎng)為 15 μm 的 1人們最關(guān)注的領(lǐng)域，使其目前已在軍事應(yīng)用及民間應(yīng)用范圍取得

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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博士論文
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[3]量子點(diǎn)紅外探測(cè)器暗電流及噪聲特性研究[D]. 白宏剛.西安電子科技大學(xué) 2014



本文編號(hào)：2915733