發(fā)布時(shí)間：2020-12-14 09:39

　　原子、分子與超強(qiáng)激光之間的作用一直受到人們的廣泛關(guān)注。近幾年來(lái),隨著激光技術(shù)的迅猛發(fā)展,激光場(chǎng)強(qiáng)度大幅提高,超強(qiáng)激光場(chǎng)與原子、分子作用的研究得到進(jìn)一步的發(fā)展。隨著激光場(chǎng)強(qiáng)度的逐漸提高,出現(xiàn)了諸如多光子電離、隧穿電離、高次諧波產(chǎn)生、非序雙電離等一系列全新的非線性物理現(xiàn)象。其中,通過(guò)對(duì)高次諧波的研究,不僅可以促進(jìn)非微擾理論的發(fā)展,還提供了簡(jiǎn)單的全相干短波長(zhǎng)光源產(chǎn)生方法。原子、分子的非序雙電離過(guò)程能夠提供一種簡(jiǎn)單的電子關(guān)聯(lián)模型,對(duì)化學(xué)鍵的形成、超導(dǎo)現(xiàn)象、固體的性質(zhì)都有重要的影響。強(qiáng)激光場(chǎng)與原子分子的作用是極端非線性過(guò)程,對(duì)它的研究有助于原子、分子結(jié)構(gòu)的深入探索,同時(shí)也促進(jìn)分子成像技術(shù)的發(fā)展,奠定了觀察和控制分子化學(xué)反應(yīng)過(guò)程的基礎(chǔ)。本文應(yīng)用理論去模擬實(shí)驗(yàn)觀測(cè)到的強(qiáng)場(chǎng)中的原子分子的變化,開(kāi)展了以下工作的研究:（1）模擬計(jì)算了不同波長(zhǎng)、強(qiáng)度的激光場(chǎng)下的原子、分子的高次諧波譜,由截止能量的變化規(guī)律來(lái)分析不同激光場(chǎng)對(duì)原子分子高次諧波的影響;我們選用相同激光條件下的不同分子（N₂,O₂）及其對(duì)照原子（Ar,Xe）并計(jì)算其高次諧波譜,說(shuō)明了電離抑制對(duì)高次諧波譜的... 

【文章來(lái)源】：浙江理工大學(xué)浙江省

【文章頁(yè)數(shù)】：58 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

激光輸出的峰值功率及其物理領(lǐng)域隨年代的變化

reshold Ionization，ATI)79 年取得了新的成就，他們研究發(fā)現(xiàn) Xe 的量隔開(kāi)的峰組成。像這種原子、分子在電間距為光子能量的峰組成的現(xiàn)象，稱(chēng)為閾閾上電離示意圖。在隨后的實(shí)驗(yàn)中[14-18]，往采用微擾理論（LOPT）來(lái)解釋?zhuān)簆pnsnsnEnshII ()/2n 為電離所需要的最少光子數(shù)， Ip是電離中 s 大于 0 時(shí)，為閾上電離，等于 0 時(shí)為多

圖 1.3 閾上電離能量譜[18]Figure 1.3 energy spectrum of Above-threshold ionizunneling Ionization，TI)Keldysh 等人[22]作出推論：當(dāng)原子與足夠高強(qiáng)就會(huì)發(fā)生畸變，形成勢(shì)壘。所謂的隧穿電離(T勢(shì)壘的束縛發(fā)生電離的過(guò)程。在理論和實(shí)驗(yàn)中的[20,21]。圖 1.4 是隧穿電離的示意圖，從圖中我們，勢(shì)壘的右側(cè)處于較低的勢(shì)能點(diǎn)，電子電離所需強(qiáng)度的增加，勢(shì)壘會(huì)變得更低，電子更容易發(fā)

【參考文獻(xiàn)】：
博士論文
[1]簡(jiǎn)單分子隧穿電離中的振動(dòng)影響[D]. 張美霞.吉林大學(xué) 2015
[2]基于中紅外飛秒激光場(chǎng)的原子分子電離行為若干問(wèn)題的研究[D]. 林志陽(yáng).中國(guó)科學(xué)院研究生院（武漢物理與數(shù)學(xué)研究所） 2013

碩士論文
[1]強(qiáng)激光場(chǎng)中氫分子非次序雙電離電子關(guān)聯(lián)性的理論研究[D]. 楊培輝.浙江理工大學(xué) 2017



本文編號(hào)：2916219