發(fā)布時間：2020-12-14 11:38

　　隨著信息社會快速發(fā)展,人們對智能設(shè)備無論是外觀設(shè)計還是性能應(yīng)用上的需求與依賴都在不斷提高。這些智能設(shè)備的核心則是基于半導(dǎo)體技術(shù)的微電子芯片。ITRS半導(dǎo)體技術(shù)藍(lán)圖2.0報告預(yù)測2021年最小晶體管尺寸將不再縮小,芯片層面集成與先進(jìn)封裝被認(rèn)為是延續(xù)突破摩爾定律的關(guān)鍵路徑,其中扇出型圓片級封裝（Fan-Out Wafer Level Package,簡稱“FOWLP”）為先進(jìn)封裝的典型代表。根據(jù)國內(nèi)外扇出型圓片級封裝技術(shù)最新進(jìn)展,本文提出了內(nèi)嵌硅轉(zhuǎn)接板技術(shù),設(shè)計了面向不同應(yīng)用的內(nèi)嵌硅轉(zhuǎn)接板實現(xiàn)扇出型圓片級封裝疊層,該內(nèi)嵌轉(zhuǎn)接板襯底上含有數(shù)個凹坑結(jié)構(gòu),凹坑側(cè)壁具有金屬布線層,凹坑底部具有垂直貫穿襯底的電互連結(jié)構(gòu),兩者結(jié)合實現(xiàn)貫穿內(nèi)嵌硅轉(zhuǎn)接板兩個表面的電互連;微電子芯片通過正面貼裝或倒裝焊方式集成在凹坑底部,不同凹坑內(nèi)芯片之間可通過上表面重布線層實現(xiàn)電連接,基于此種內(nèi)嵌硅轉(zhuǎn)接板疊層結(jié)構(gòu)實現(xiàn)了扇出型圓片級3D封裝。本文主要研究內(nèi)容如下:（1）針對低頻數(shù)字IC扇出型圓片級封裝應(yīng)用,提出了 一種以低阻硅柱為電互連的內(nèi)嵌硅轉(zhuǎn)接板設(shè)計結(jié)構(gòu)。開發(fā)了玻璃回流工藝和KOH濕法腐蝕工藝,在凹坑襯底上實現(xiàn)了低阻硅... 

【文章來源】：廈門大學(xué)福建省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：78 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖１－３封裝發(fā)展路線圖??

Ｆｏｃｕｓ?ｏｎ?ＦＯＷＬＰ?ａｎｄ?Ｅｍｂｅｄｄｅｄ?Ｄｉｅｓ??圖１－４圓片級封裝種類??圖１－３是封裝技術(shù)發(fā)展路線圖。其中扇出型系統(tǒng)封裝（Ｆａｎ－Ｏｕｔ?Ｓｙｓｔｅｍ?ｉｎ??Ｐａｃｋａｇｅ，簡稱?“ＦＯ?ＳｉＰ”）、嵌入式系統(tǒng)集成封裝（Ｅｍｂｅｄｄｅｄ?Ｓｙｓｔｅｍ?ｉｎ?Ｐａｃｋａｇｅ，??簡稱?“ＥＳｉＰ”）扇出型封裝上封裝（Ｆａｎ－Ｏｕｔ?Ｐａｃｋａｇｅ?ｏｎ?Ｐａｃｋａｇｅ，簡稱?“ＦＯ?ＰｏＰ”）??等是先進(jìn)封裝的典型代表。２０１０年至２０２０年的低引腳數(shù)多功能型的封裝結(jié)構(gòu)主??要是ＦＯ?ＳｉＰ、ＦＯ?ＰｏＰ封裝結(jié)構(gòu)為前沿。其中系統(tǒng)級封裝（Ｓｙｓｔｅｍ?ｉｎ?Ｐａｃｋａｇｅ，??簡稱“ＳｉＰ”）是將？個或多個芯片或者無源器件（ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ?ｐａｓｓｉｖｅ?ｄｅｖｉｃｅ，簡稱??“ＩＰＤ”）封裝在一個結(jié)構(gòu)里。封裝上封裝（Ｐａｃｋａｇｅ?ｏｎ?Ｐａｃｋａｇｅ，簡稱“ＰｏＰ”）與??封裝內(nèi)封裝（Ｐａｃｋａｇｅ?ｉｎ?Ｐａｃｋａｇｅ，簡稱“ＰｉＰ”）是在原先的封裝基礎(chǔ)上通過倒裝??焊接方式（Ｆｌｉｐ－Ｃｈｉｐ，簡稱“ＦＣ”）或者引線鍵合將兩個或多個芯片封裝最后形??成器件。ＰｏＰ與ＰｉＰ主要區(qū)別是芯片之間封裝方式的不同

Ｗａｆｅｒ?Ｌｅｖｅｌ?Ｐａｃｋａｇｅ，簡稱?“ＩｎＦＯ?ＷＬＰ”）解決方案被用于?Ａｐｐｌｅ?（蘋果）ｉＰｈｏｎｅ??７?Ａ１０處理的封裝應(yīng)用上，Ａ１０處理器的最終性能達(dá)到Ａ９處理器兩倍，這一芯??片問世更是將ＦＯ?ＷＬＰ推到了空前的高度，圖１－５是ＦＯ?ＷＬＰ市場預(yù)測圖，Ｆ０??ＷＬＰ每年市場需求逐年提升，預(yù)測２０１９年市場需求將達(dá)到２００億美元。??ＦＯ封裝技術(shù)解決了?Ｉ／Ｏ數(shù)問題的同時還賦予靈活的設(shè)計空間，因此諸多扇??出型封裝結(jié)構(gòu)孕育而生，如臺積電的ＩｎＦＯ?ＷＬＰ和ＩｎＦＯ＿ＰｏＰ結(jié)構(gòu)、三星的ｅＰｏＰ??結(jié)構(gòu)，艾克爾的桂圓片集成扇出型技術(shù)（Ｓｉｌｉｃｏｎ?Ｗａｆｅｒ?ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ?Ｆａｎ－Ｏｕｔ??Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，簡稱?“ＳＷＩＦＴ”）結(jié)構(gòu)。??１．１．２扇出型圓片級封裝技術(shù)的國內(nèi)外研究現(xiàn)狀??２００６年，英飛凌公司首次提出內(nèi)嵌圓片級封裝（ｅｍｂｅｄｄｅｄ?Ｗａｆｅｒ?Ｌｅｖｅｌ?Ｂａｌｌ??Ｇｒｉｄ?Ａｒｒａｙ，“ＥＷＬＢ”）技術(shù)［３］解決了?Ｉ／Ｏ扇出型問題，如圖１－６所示。即將制作好??的硅圓片進(jìn)行測試、掩膜和切割分離。將這些測試完好的裸硅芯片正面朝下放置??在載體系統(tǒng)上

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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碩士論文
[1]應(yīng)力狀態(tài)與斷裂應(yīng)變關(guān)系—純銅材料試驗與數(shù)值計算分析[D]. 蔡德良.廣西大學(xué) 2016



本文編號：2916348